Tibo 2019
Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/170217
Заглавие документа: Ion Beam Synthesis of InAs Nanocrystals in Si: Influence of Thin Surface Oxide Layers
Авторы: Komarov, F.
Vlasukova, L.
Milchanin, O.
Greben, M.
Komarov, A.
Mudryi, A.
Wesch, W.
Wendler, E.
Zuk, J.
Kulik, M.
Ismailova, G.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2013
Издатель: Polska Akademia Nauk
Библиографическое описание источника: Acta Physica Polonica A. - 2013. - Vol. 123, No. 5. - Pp. 809-812.
Аннотация: Nanosized crystallites have been synthesized in the Si and SiO2/Si structures by means of As (170 keV, 3.2 × 1016cm−2) and In (250 keV, 2.8 × 1016cm−2) implantation at 25◦C and 500◦C and subsequent annealing at 1050◦C for 3 min. The Rutherford backscattering, transmission electron microscopy, and photoluminescence techniques were used to analyse the impurity distribution as well as the structural and optical characteristics of the implanted layers. It was found that oxidation of samples before thermal treatment significantly reduced the As and In losses. A broad band in the region of 1.2-1.5 µm was detected in the photoluminescence spectra. The highest photoluminescence yield for the samples after "hot" implantation and annealing was obtained. Anodic oxidation of the implanted samples before annealing results in the additional increase of photoluminescence yield
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/170217
ISSN: 0587-4246; 1898-794X (online)
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников НИИ ПФП

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
809-812.pdf645,43 kBAdobe PDFОткрыть


PlumX

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.