Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/170215
Заглавие документа: | Modeling of Thermal Processing at the Formation of Shallow Doped IC Active Regions |
Авторы: | Komarov, A. F. Velichko, O. I. Zayats, G. M. Komarov, F. F. Miskiewicz, S. A. Mironov, A. M. Makarevich, Yu. V. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2013 |
Издатель: | Polska Akademia Nauk |
Библиографическое описание источника: | Acta Physica Polonica A. - 2013. - Vol. 123, No. 5. - Pp. 804-808. |
Аннотация: | Physical and mathematical models as well as numerical algorithms for simulation of advanced technological processes, such as thermal annealing after low-energy ion implantation used during the VLSI fabrication are presented. In this paper we propose a model that treats the migration of the impurity atoms at the thermal annealing. We take into account process nonlinearity and influence of non-uniform defects distribution as well as electric field and elastic stress on the migration of atoms. The redistribution of point defects as well as the diffusion of nonequilibrium impurity interstitials in silicon are described by time-dependent quasi-linear parabolic equations. The results of numerical calculations are presented as well |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/170215 |
ISSN: | 0587-4246; 1898-794X (online) |
Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ПФП |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
804-808.pdf | 359,94 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.