Взаимодействие быстрых ионов водорода с поверхностью кремния при скользящих углах падения

Abstract

The present paper deals with the interaction of 380 keV H+ ions with Si surface at glancing angles corresponding to the quasichanneling regime. = Измерены угловые распределения с энергией 380 кэВ ионов водорода, отраженных от по­верхности (111) монокристалла кремния при углах падения относительно плоскости от 0,3 до 0,8°. Показано, что увеличение угла падения вызывает значительный рост скорости изменения та­ких характеристик угловых распределений, как угловая величина переднего фронта, угловая ши­рина распределений, амплитуда. Измеренные энергетические спектры отраженных ионов при ве­личине угла падения 0,5° состоят из нескольких пиков, расстояния между которыми практически не отличаются друг от друга, а амплитуды слабо уменьшаются при сдвиге в область меньших энергий. Экспериментально показано, что самый высокоэнергетический пик вызван отражением от поверхности, а остальные обусловлены последовательным рассеянием ионов кристаллографи­ческими плоскостями кремния.