Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/165175| Заглавие документа: | Самоорганизация нанопустот в упруго-деформированных структурах SiGe(Sn) при ионном облучении |
| Авторы: | Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 228–231. |
| Аннотация: | Рассмотрены процессы самоорганизации нанопустот в ионно-имплантированных слоях упруго-деформированных Si/SiGe(Sn) гетероструктур. Нанопустоты использованы для геттерирования и (или) сегрегации примесей с последующим формированием массивов захороненных нанооболочек и наноточек Ge, Sn или Au в Si слоях, расположенных вблизи р-n-перехода. Исследованы структурные превращения в слоях Si/SiGe(Sn) во время формирования нанопустот, а также оптические характеристики и спектральные зависимости фототока в р-n-переходах и гетеро-слоях Si/SiGe(Sn) со встроенными наноструктурами. Обсуждаются возможности плазмонных структур для повышения эффективности фотоприемных устройств. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/165175 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Исследования проводились при финансовой поддержке фонда БРФФИ (проект Т16Р-167), а также фонда Марии Кюри 7-й РП ЕС - FP7-PEOPLE-2011-IIF (проект No 911932). |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.228-231_Гайдук П.И..pdf | 591,52 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.