Разработка математических моделей паразитных электромагнитных связей между элементами радиоэлектронных систем для экспресс-анализа их внутрисистемной электромагнитной совместимости с учетом влияния корпуса носителя : ГПНИ «Электроника и фотоника», 2011 – 2015 гг., задание 1.3.17 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ; научный руководитель С. В. Малый

Abstract

Объектом исследования являются электромагнитные поля источников, расположенных внутри или вне объектов, стенки которых выполнены из произвольных по электромагнитным характеристикам материалов. Основными методами исследований являются: метод минимальных автономных блоков (МАБ), теория периодических структур, методики расчета эффективных электромагнитных параметров структурно неоднородных сред. В результате разработана методика, алгоритмы и программы для расчета распределения электромагнитных полей, возбуждаемых локальными источниками в пространственной области, ограниченной стенками с произвольными структурными и материальными параметрами. Разработанные программно-методические средства могут быть использованы с целью корректировки типовых моделей паразитных связей для задач электромагнитной совместимости. Разработана методика, алгоритмы и программы для оценки характеристик рассеяния объектов сложной геометрии и состава. В ее основе методики лежит расчет многоканальной матрицы рассеяния пространственной области содержащей объект с использованием метода минимальных автономных блоков. Сопоставление амплитудных и фазовых портретов матриц рассеяния областей, содержащих различные объекты, позволяет оценить их заметность при произвольном режиме внешнего облучения. На основе метода минимальных автономных блоков разработана методика расчета электромагнитных свойств слоистых структурно неоднородных объектов. Методика позволяет рассчитывать взаимодействие плоской электромагнитной волны с экраном, состоящим из произвольного числа слоев, каждый из которых имеет периодическую структуру. Модель позволяет эффективно рассчитывать экраны произвольной волновой толщины в микроволновом, терагерцовом и оптическом диапазонах с учетом частотной дисперсии входящих в них материалов.