Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/158775
Заглавие документа: Получение пучков двухзарядных ионов 4He на малогабаритном электростатическом ускорителе «Сокол»
Авторы: Бондаренко, В. Н.
Глазунов, Л. С.
Гончаров, А. В.
Зац, А. В.
Карпусь, С. Г.
Кузменко, В. В.
Пистряк, В. М.
Сухоставец, В. И.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2015
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Вестник БГУ. Серия 1, Физика. Математика. Информатика. - 2015. - № 3. - С. 58-62
Аннотация: Для малогабаритного электростатического ускорителя горизонтального типа «Сокол» в Национальном научном центре «Харьковский физико-технический институт» разработаны два метода разделения пучка ионов 4Не2+ и H2+. В первом случае используется раздаточный магнит и электростатический анализатор, во втором – перед магнитом устанавливается тонкая углеродная пленка, в которой происходит развал ионов H2+. Показано, что второй метод позволяет получить пучок 4Не2+ с более низким содержанием ионов H2+. Остаточное содержание обусловлено наличием микроотверстий в тонкой пленке. Использование пучка ионов 4Не2+ с энергией 3 МэВ позволило изучить многослойную структуру, состоящую из чередующихся слоев Ta2O5 и SiO2, на глубину более 2,5 мкм. С помощью спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния определена толщина отдельных слоев. = Two methods of 4He2+ and H2+ beams separation at the compact horizontal type accelerator «Sokol» of National Science Centre «Kharkov Institute of Physics and Technology» have been developed. The first method is realized using the mounted beam-bending magnet and the electrostatic analyzer. By the second method, H2+ dissociation on the interaction with thin carbon films is used. The application of this method offers lower content of H2+ ions in 4He2+ beams. The residual content is due to the presence of pinholes in the thin carbon films. The multilayer structure consisting of alternate Ta2O5 and SiO2 layers on the SiO2 substrate has been investigated by Rutherford backscattering spectrometry ( 4Не2+ beam energy was equal 3 MeV) to the depth more than 2,5 m. The layers thicknesses were determined.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/158775
ISSN: 1561-834X
Располагается в коллекциях:2015, №3 (сентябрь)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
58-62.pdf587,36 kBAdobe PDFОткрыть


PlumX

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.