Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Поиск


Текущие фильтры:


Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.

 | 
Результаты 1-10 из 10.
  • назад
  • 1
  • далее
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2020Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шумаБуслюк, В. В.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Янковский, Ю. Н.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2019Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В.
2018Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2021Влияние неконтролируемых технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2018Атомно-силовая микроскопия пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированного ионами бораВабищевич, С. А.; Васюков, А. В.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.
2021Стабилизация шумовых параметров при отжиге высоколегированных структур диодов – генераторов шумаБуслюк, В. В.; Емельянов, В. А.; Баранов, В. В.; Дереченник, С. С.; Просолович, В. С.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
ноя-2023Инфракрасная Фурье-спектроскопия структур фоторезист/кремний, используемых для обратной литографииБринкевич, Д. И.; Гринюк, Е. В.; Бринкевич, С. Д.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Ластовский, С. Б.
10-сен-2023Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60СоКовальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.

Просмотр