Logo BSU

Поиск


Текущие фильтры:


Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 21-30 из 35.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2003Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2007Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Куприк, В. С.; Ластовский, С. Б.; Wieck, А.
2007Дефектообразование в природных алмазах при имплантации ионами водородаЛапчук, Н. М.; Поклонская, О. Н.; Хомич, А. В.; Хмельницкий, Р. А.; Заведеев, Е. В.; Поклонский, Н. А.
2008Блочно-регулярное моделирование структуры углеродных нанотрубокВласов, А. Т.; Поклонский, Н. А.; Хиеу, Нгуен Нгок; Вырко, С. А.
2008Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробояПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Лacтoвcкий, С. Б.; Wieck, А.
2018Чувствительность к влажности иттрий-стабилизированного диоксида цирконияLyubchyk, A.; Ксеневич, В. К.; Поклонский, Н. А.; Адамчук, Д. В.; Ковалев, А. И.
2018Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенонаПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A.
2007Новый метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода с радиационными дефектамиПоклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Гардей, А. П.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Власов, А. Т.
2008Кремниевые нанотрубки: моделирование структурной устойчивости и диффузионнъiх процессовГусакова, Ю. В.; Поклонский, Н. А.; Гусаков, В. Е.
2001Перспективные полупроводниковые материалы: физика и технологияДоросинец, В. А.; Захаров, А. Г.; Ланчук, H. М.; Лукашевич, М. Г.; Поклонский, Н. А.; Челядинский, А. P.; Явид, В. Ю.; Янченко, А. М.