Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/14502
Title: | Влияние лазерного геттерирования на структурные и электрические параметры эпитаксиальных слоев кремния |
Authors: | Пилипенко, В. А. Вечер, Д. В. Понарядов, В. В. Горушко, В. А. Сякерский, В. С. Петлицкая, Т. В. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | May-2007 |
Publisher: | БГУ |
Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2007. - № 2. - С.39-42 |
Abstract: | The effect of laser gcttering process on the structural and electrophysical parameters of epitaxial films was analyzed. It was demonstrated that laser irradiation of the non-working surface of silicon wafers with a scanning pilch of 60 cm/scc prior to thermal oxidation at a temperature exceeding the temperature of a subsequent prolonged high-tempcrature treatment makes it possible to reduce the packing and dislocation defects density by a factor of (2,2-4,4)102 to bring down the fill-up ratio with the glide lines of the epitaxial structures by a factor of 2,9, to realize a 12-times increase of the lifetime of minority charge carriers and recombination lifetime in silicon, and also to halve the density of the surface states at the interface of silicon-thermal silicon dioxide. Проведены исследования влияния процесса лазерного геттерирования на структурные и электрофизические параметры эпитаксиальных пленок. Показано, что лазерная обработка нерабочей поверхности кремниевых пластин с шагом сканирования H = 250 мкм, мощностью излучения ==5,5*10 5 Вт/см2 и скоростью сканирования V = 60 см/с перед термическим окислением при температуре Ем0, превышающей температуру последующих длительных высокотемпературных процессов, позволяет в (2,2-4,4)10 2 раза снизить плотность дефектов упаковки и дислокаций, в 2,9 раза - коэффициент заполнения линиями скольжения эпитаксиальных структур, в 12 раз увеличить время жизни неосновных носителей заряда и рекомбинационное время жизни в кремнии, а также в 2 раза снизить плотность поверхностных состояний на границе раздела кремний - термическая двуокись кремния. |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/14502 |
ISSN: | 0321-0367 |
Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Appears in Collections: | 2007, №2 (май) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.