Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/14502
Title: Влияние лазерного геттерирования на структурные и электрические параметры эпитаксиальных слоев кремния
Authors: Пилипенко, В. А.
Вечер, Д. В.
Понарядов, В. В.
Горушко, В. А.
Сякерский, В. С.
Петлицкая, Т. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: May-2007
Publisher: БГУ
Citation: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2007. - № 2. - С.39-42
Abstract: The effect of laser gcttering process on the structural and electrophysical parameters of epitaxial films was analyzed. It was demonstrated that laser irradiation of the non-working surface of silicon wafers with a scanning pilch of 60 cm/scc prior to thermal oxidation at a temperature exceeding the temperature of a subsequent prolonged high-tempcrature treatment makes it possible to reduce the packing and dislocation defects density by a factor of (2,2-4,4)102 to bring down the fill-up ratio with the glide lines of the epitaxial structures by a factor of 2,9, to realize a 12-times increase of the lifetime of minority charge carriers and recombination lifetime in silicon, and also to halve the density of the surface states at the interface of silicon-thermal silicon dioxide. Проведены исследования влияния процесса лазерного геттерирования на структурные и электрофизические параметры эпитаксиальных пленок. Показано, что лазерная обработка нерабочей поверхности кремниевых пластин с шагом сканирования H = 250 мкм, мощностью излучения ==5,5*10 5 Вт/см2 и скоростью сканирования V = 60 см/с перед термическим окислением при температуре Ем0, превышающей температуру последующих длительных высокотемпературных процессов, позволяет в (2,2-4,4)10 2 раза снизить плотность дефектов упаковки и дислокаций, в 2,9 раза - коэффициент заполнения линиями скольжения эпитаксиальных структур, в 12 раз увеличить время жизни неосновных носителей заряда и рекомбинационное время жизни в кремнии, а также в 2 раза снизить плотность поверхностных состояний на границе раздела кремний - термическая двуокись кремния.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/14502
ISSN: 0321-0367
Appears in Collections:2007, №2 (май)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
39-42.pdf325,45 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.