Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/133752
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.-
dc.contributor.authorРоманов, И. А.-
dc.contributor.authorВласукова, Л. А.-
dc.contributor.authorМильчанин, О. В.-
dc.contributor.authorПархоменко, И. Н.-
dc.date.accessioned2016-01-06T08:27:10Z-
dc.date.available2016-01-06T08:27:10Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationКвантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 85-87.ru
dc.identifier.isbn978-985-500-903-1-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/133752-
dc.description.abstractЦелью настоящей работы является формирование светоизлучающей структуры «НК InSb в кремнии» методом высокодозной ионной имплантации и термообработок и выяснение природы ФЛ.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : РИВШru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleСтруктура и фотолюминесценция кристаллического кремния с нанокристаллами InSb, сформированными высокодозной ионной имплантацией.ru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2015. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
085_Komarov.pdf1,27 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.