Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133750Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Данильчик, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Ржеуцкий, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Павловский, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Луценко, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Яблонский, Г. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-06T08:13:20Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-06T08:13:20Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 81-82. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-500-903-1 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133750 | - |
| dc.description.abstract | Результаты измерений порогов и оптического усиления в гетероструктурах на кремниевой подложке свидетельствуют о достаточно высоком их качестве, сравнимом с лазерными свойствами гетероструктур на подложках сапфира. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках ГПНИ «Электроника и фотоника 1.2.06». | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : РИВШ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Оптическое усиление в InGaN/GaN электролюминесцентных гетероструктурах, выращенных на кремниевых подложках. | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Appears in Collections: | 2015. Квантовая электроника | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 081_Danilchik.pdf | 586,48 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.