Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/125468
Заглавие документа: Mechanisms of carrier transport in Cux(SiO2)1-x nanocomposites manufactured by ion-beam sputtering with Ar ions
Авторы: Fedotov, A. K.
Mazanik, A. V.
Svito, I. A.
Saad, A.
Fedotova, V. V.
Czarnacka, K.
Koltunowicz, T. N.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: ноя-2015
Издатель: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics
Библиографическое описание источника: Mechanisms of carrier transport in Cux(SiO2)1-x nanocomposites manufactured by ion-beam sputtering with Ar ions / A. Fedotov, A. Mazanik, I. Svito, A. Saad, V. Fedotova, K. Czarnacka, T.N. Koltunowicz // Acta Physica Polonica A. – 2015. – Vol. 128, No 5. – P. 883 – 886
Аннотация: The present paper investigates the temperature/frequency dependences of admittance Z in the granular Cux(SiO2)1􀀀x nanocomposite lms around the percolation threshold xC in the temperature range of 4 30 K and frequencies of 20 MHz. The behavior of low-frequency ReZ(T) dependences displayed the predominance of electrons hopping between the closest Cu-based nanoparticles for the samples below the percolation threshold xC = 0:59 and nearly metallic behaviour beyond the xC. The high-frequency curves ReZ(f) at temperatures T > 10 K for the samples with x < xC exhibited behavior close to ReZ(f) f􀀀s with s 1:0 which is very similar to the known Mott law for electron hopping mechanism. For the samples beyond the percolation threshold (x > xC), the frequency dependences of ReZ(f) displayed inductive-like (not capacitive) behaviour with positive values of the phase shift angles.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/125468
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников физического факультета

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Mechanisms of carrier transport in Cux(SiO2)1-x nanocomposites manufactured by ion-beam sputtering with Ar ions.pdf520,23 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.