Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/120263| Заглавие документа: | ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА ТЕНЗОТЕРМОЭДС И ТЕНЗОСОПРОТИВЛЕНИЕ ТРАНСМУТАЦИОННО ЛЕГИРОВАННЫХ И ОБЫЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |
| Авторы: | Гайдар, Г. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2015 |
| Аннотация: | Представлены экспериментальные данные по измерению тензотермоэдс и тензосопротивления трансмутационно легированных и обычных кристаллов n-Si, подвергнутых высокотемпературному отжигу при Т = 1200 оС в течение 2 и 72 ч и охлаждавшихся от температуры отжига до комнатной со скоростями 1, 15, 1000 оС/мин. Показано, что анизотропия термоэдс увлечения в опытах с трансмутационно легированным кремнием при 85 K вследствие действия высокотемпературного отжига сильно возрастает. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/120263 |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Гайдар-1.pdf | 929,64 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.