ИОННО-АССИСТИРУЕМОЕ ОСАЖДЕНИЕ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИХ ПОКРЫТИЙ НА БЕРИЛЛИЙ

Abstract

Исследованы методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием композиционный состав и распределения элементов по глубине в Ме/Ве-структурах, полученных ионно-ассистируемым осаждением металлсодержащих (Ме = Cr, Ti, Cu, W) покрытий. Исследования показали, что на бериллии формируется поверхностная структура толщиной ~50-60 нм. В состав покрытия входят атомы осажденного металла (0,5-3,3 ат.%), атомы технологических примесей С (0,8-1,8 ат.%) и О (6,3-9,9 ат.%), атомы Ве из подложки. Установлено что содержание кислорода в покрытии возрастает по сравнению с исходным образцом и достигает наибольшего значения при осаждении покрытия на основе Cr и Ti. А содержание углерода в покрытии уменьшается, и достигает своего наименьшего значения при осаждении покрытия на основе W.