Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/114129
Заглавие документа: | Механизмы электропереноса и магнитотранспорта в массивах углеродных нанотрубок и магнитных нанонитей в пористом кремнии : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель А. В. Мазаник |
Авторы: | Мазаник, А. В. Федотов, А. К. Свито, И. А. Королик, О. В. Лопатов, Г. Я. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2013 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Аннотация: | Объектом исследования являлись исходные и функционализированные магнитными металлами сети из одностенных и многостенных углеродных нанотрубок (УНТ) и пористый кремний (ПК), а также их электрические свойства. Цель работы заключалась в исследовании механизмов электронного транспорта и магнитотранспорта в ПК и сетях УНТ для изучения возможности создания на их основе электроннных устройств широкого спектра применений. В результате проведенных работ методами растровой электронной микроскопии показано, что структуры УНТ на кремнии имеют сетевой характер. На изготовленных гетероструктурах УНТ/Si получены линейные ВАХ, свидетельствующие о высоком качестве (омичности) электрических контактов. Исследование температурных зависимостей удельного сопротивления гетеро- структур УНТ/Si указывает на активационный характер электропереноса у них во всей изученной области температур 2 – 300 К с преобладанием прыжковой проводимости по механизму Мотта ниже 15 К. Исследование поведения гетеро- структур УНТ/Si в магнитном поле до 8 Тл показали отрицательный магниторезистивный эффект, увеличивающийся при понижении температуры. На полученных образцах ПК и МФПК получены линейные ВАХ для электрических контактов из индия, что свидетельствует об их омичности. Исследование температурных зависимостей электросопротивления образцов ПК и МФПК указывает на активационный характер электропереноса в них во всей изученной области температур с преобладанием прыжковой проводимости типа Шкловского-Эфроса ниже 10 К. Обнаружено, что ход температурных зависимостей электросопротивления образцов ПК существенно зависит от их пористости (чем ниже пористость, тем выше удельное сопротивление) и глубины пор (при одинаковой пористости). |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/114129 |
Регистрационный номер: | № гос. регистрации 20113990 |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2013 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
отчет Мазаник 20113990.doc | 7,59 MB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.