Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/109018| Заглавие документа: | Investigation of defects in Cu(In,Ga)(S,Se)2 films using the photocurrent decay technique |
| Авторы: | Saad, A. Odrinski, A. Tivanov, M. Drozdov, N. Fedotov, A. Gremenok, V. Mazanik, A. Patryn, A. Zalesski, V. Zaretskaya, E. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | фев-2008 |
| Издатель: | Springer |
| Библиографическое описание источника: | Journal of Materials Science: Materials in Electronics. - 2008. - Vol. 19. - P. 371 - 374. |
| Аннотация: | In the present work we demonstrate the possibility of using the photoinduced current transient spectroscopy (PICTS) method to study the defects in Cu(In,Ga)(S,Se)2 films which can be used as an absorber layer in solar cells (SCs). The conducted experiments enable one to determine the parameters (activation energies and effective capture cross-sections) of the defects revealed in the films under study. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/109018 |
| Располагается в коллекциях: | Архив статей |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Investigation of defects in Cu(In,Ga)(S,Se)2 films using the photocurrent decay technique.pdf | 281,24 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.