Исследование закономерностей формирования дефектов в монокристаллах синтетического алмаза при облучении ускоренными электронами и отжиге

Abstract

Проводились исследования закономерностей формирования дефектов в облученных ускоренными электронами монокристаллах синтетического алмаза после их отжига. Исследования показали, что в спектрах фотолюминесценции (ФЛ) наряду с системой 1.944 эВ (637 нм) для большинства исследованных кристаллов проявляется другая относительно интенсивная электронно-колебательная полоса с бесфононной линией 2.156 эВ (575 нм), обусловленная дефектом азот-вакансия в нейтральном состоянии (N-V)°. Центр (N-V)° образуется при более высоких температурах отжига, чем центр (N-V)‾, по-видимому, за счет перезарядки данного дефекта. Нами найдено нелинейное увеличение интенсивности полосы ФЛ 2.156 эВ (575 нм) с ростом дозы облучения и зафиксирована высокая температура отжига (Т ~ 1500°С) центра (N-V)°.