Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108012
Заглавие документа: | Исследование закономерностей формирования дефектов в монокристаллах синтетического алмаза при облучении ускоренными электронами и отжиге |
Авторы: | Гусаков, Г. А. Мудрый, А. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2014 |
Издатель: | Издательский центр БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
Аннотация: | Проводились исследования закономерностей формирования дефектов в облученных ускоренными электронами монокристаллах синтетического алмаза после их отжига. Исследования показали, что в спектрах фотолюминесценции (ФЛ) наряду с системой 1.944 эВ (637 нм) для большинства исследованных кристаллов проявляется другая относительно интенсивная электронно-колебательная полоса с бесфононной линией 2.156 эВ (575 нм), обусловленная дефектом азот-вакансия в нейтральном состоянии (N-V)°. Центр (N-V)° образуется при более высоких температурах отжига, чем центр (N-V)‾, по-видимому, за счет перезарядки данного дефекта. Нами найдено нелинейное увеличение интенсивности полосы ФЛ 2.156 эВ (575 нм) с ростом дозы облучения и зафиксирована высокая температура отжига (Т ~ 1500°С) центра (N-V)°. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108012 |
ISBN: | 978-985-553-234-8 |
Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
p.118-120.pdf | 596,91 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.