Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108012
Заглавие документа: Исследование закономерностей формирования дефектов в монокристаллах синтетического алмаза при облучении ускоренными электронами и отжиге
Авторы: Гусаков, Г. А.
Мудрый, А. В.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2014
Издатель: Издательский центр БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Аннотация: Проводились исследования закономерностей формирования дефектов в облученных ускоренными электронами монокристаллах синтетического алмаза после их отжига. Исследования показали, что в спектрах фотолюминесценции (ФЛ) наряду с системой 1.944 эВ (637 нм) для большинства исследованных кристаллов проявляется другая относительно интенсивная электронно-колебательная полоса с бесфононной линией 2.156 эВ (575 нм), обусловленная дефектом азот-вакансия в нейтральном состоянии (N-V)°. Центр (N-V)° образуется при более высоких температурах отжига, чем центр (N-V)‾, по-видимому, за счет перезарядки данного дефекта. Нами найдено нелинейное увеличение интенсивности полосы ФЛ 2.156 эВ (575 нм) с ростом дозы облучения и зафиксирована высокая температура отжига (Т ~ 1500°С) центра (N-V)°.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108012
ISBN: 978-985-553-234-8
Располагается в коллекциях:2014. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
p.118-120.pdf596,91 kBAdobe PDFОткрыть


PlumX

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.