Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/107207
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЖивулько, В. Д.-
dc.contributor.authorМудрый, А. В.-
dc.contributor.authorSchaff, W. J.-
dc.date.accessioned2015-01-13T09:36:46Z-
dc.date.available2015-01-13T09:36:46Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-234-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/107207-
dc.description.abstractВ настоящей работе исследовались гетероэпитаксиальные тонкие пленки InN, осажденные на наноразмерные слои GaN и AlN, которые были предварительно сформированы на сапфировых подложках с толщиной ~ 300 мкм. Создание промежуточных нанослоев GaN и AlN было необходимо для более лучшего согласования параметров элементарной ячейки и коэффициентов термического расширения нитрида индия и сапфира. Спектры низкотемпературной (~ 4.2 K) люминесценции исследовались в зависимости от плотности мощности возбуждения в диапазоне от 7.50 Вт/см2 до 0.03 Вт/см2, а также от температуры в диапазоне 4.2 – 300 K. Исследование спектров фотолюминесценции от уровня возбуждения проводилось при непосредственном погружении образцов в жидкий гелий, что обеспечивало охлаждение образцов до температуры 4.2 K даже при наиболее высоких плотностях мощности лазерного излучения. Возбуждение неравновесных носителей заряда в тонких пленках InN осуществлялось с использованием аргонового (Ar+) лазера, работающего на длине волны 488 нм с мощностью в непрерывном режиме до 5 Вт. Проведенные эксперименты показали, что увеличение концентрации электронов в определенном диапазоне приводит к изменению оптической ширины запрещенной зоны при 4.2 K с 0.695 эВ до 0.745 эВ и соответствующему смещению полосы близкраевой люминесценции в область высоких энергий за счет эффекта Бурштейна-Мосса. Эти исследования указывают на возможность применения зонной теории для сильнолегированных прямозонных полупроводников к полупроводниковому соединению InN.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследованийru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОптические свойства сильнолегированных гетероэпитаксиальных пленок InN на сапфиреru
dc.typeArticleru
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.52-55.pdf297,41 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.