Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/10480
Заглавие документа: Temperature effect on electron transport in conventional short channel MOSFETs: Monte Carlo simulation
Авторы: Zhevnyak, Oleg
Тема: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Дата публикации: 2007
Издатель: Материалы конференции ICMNE 2007
Аннотация: Monte Carlo model of electron transport in short channel MOSFETs at different temperatures ranging from –50°C (223K) to +50° C (323 K) are proposed. MOSFETs with the channel length equal to 0.5, 0.2 and 0.1 μm are studied by using Monte Carlo simulation. Three mechanisms of temperature effect on electron properties are discussed for studied devices. Temperature influence on the values of drift velocity, mobility, electron energy and electric field in different parts of conducting channel is dealt with at studied conditions. It is shown that for MOSFET with the channel length equal to 0.1 μm obtained temperature dependencies demonstrate an appreciable divergence from ones for MOSFET with channel length equal to 0.5 μm.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/10480
Располагается в коллекциях:Статьи факультета радиофизики и компьютерных технологий

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
ICMNE 2007a.doc230,5 kBMicrosoft WordОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.