Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/10475
Заглавие документа: Эффекты влияния стока на электрический потенциал в инверсионном слое кремния в короткоканальных МОП-транзисторах
Авторы: Жевняк, О. Г.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2009
Издатель: Материалы конференции ФММН2009
Аннотация: In this paper induced by drain voltage effects on electric potential in inversion layer of short channel MOSFETs are studied. It is shown there is the region with slow negative changing of potential in these devices. The principal parameters which control the negative behavior of electric potential in short channel MOSFETs are considered. The DIBL-effect are modeled by means of Monte Carlo simulation.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/10475
Располагается в коллекциях:Статьи факультета радиофизики и компьютерных технологий

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
ФММН2009.doc87 kBMicrosoft WordОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.