Logo BSU

Просмотр Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 106390 - 106409 из 233054 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2011Моделирование методом молекулярной динамики на многопроцессорных компьютерахБуза, М. К.; Кондратьева, О. М.
2014Моделирование методом Монте-Карло влияния глубины залегания стока на перенос электронов и ток стока в субмикронных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.; Шевкун, И. М.
2014Моделирование методом Монте-Карло влияния ударной ионизации на ВАХ и флуктуации тока в кремниевом диоде со структурой n+-n-n+Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Буслюк, В. В.
2021Моделирование методом Монте-Карло кремниевого фотодетектора со структурой металл-полупроводник-металлБорздов, А. В.; Борздов, В. М.
2016Моделирование методом монте-карло метрологических характеристик установки поверочной нейтронного излучения УПН-АТ140Комар, Д. И.; Кутень, С. А.; Гузов, В. Д.
2011Моделирование методом Монте-Карло подвижности электронов вблизи стока в короткоканальных МОП-транзисторах с мелкими и глубокими стокамиЖевняк, О. Г.
2011Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИСБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф.
2022Моделирование методом Монте-Карло пространственного распределения энергии электронов в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Леонтьев, А. В.
5-дек-2014Моделирование методом Монте-Карло процессов переноса заряда в кремниевом лавинно-пролетном диоде со структурой p+-n-n+/Аннотация к дипломной работе/Курило Игорь Михайлович/Факультет радиофизики и компьютерных технологий Кафедра физической электроники и нанотехнологий/Научный руководитель – профессор Борздов В.М.Курило, Игорь Михайлович
2016Моделирование методом Монте-Карло радиационной защиты помещения установки поверочной нейтронного излучения УПН-АТ140Комар, Д. И.
2017Моделирование методом Монте-Карло токовых флуктуаций в GaAsНовиков, И. С.; Борздов, В. М.
20-июн-2017Моделирование методом Монте-Карло токовых флуктуаций в GaAs :аннотация к дипломной работе / Иван Сергеевич Новиков, БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра интеллектуальных систем; науч. рук. Борздов В.М.Новиков, Иван Сергеевич
2015Моделирование методом Монте-Карло туннельного тока в субмикронных МОП-транзисторах.Жевняк, О. Г.
2019Моделирование методом Монте-Карло физического распыления твёрдых телОразаев, В. С.
2017Моделирование методом Монте-Карло фототока субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излученияБорздов, А. В.; Борздов, В. М.
2010Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в ультра короткоканальных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.
2020Моделирование методом Монте−Карло физического распыления твёрдых телОразаев, В. С.; Леонтьев, А. В.
2001Моделирование методом частиц переноса электронов в субмикронном МОП-транзисторе c учетом ударной ионизацииБорздов, Владимир Михайлович; Галенчик, Вадим Освальдович
2007Моделирование механизма межотраслевого распространения инфляцииКомков, Василий Никифорович; Беляцкий, И. Н.
2023Моделирование механизмов сосудистой ауторегуляцииФираго, В. А.; Радчикова, В. С.