Logo BSU

Browsing by Author Янковский, Ю. Н.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 33  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2008Взаимодействие атомов золота с преципитатами кислорода в монокристаллическом кремнииВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, О. Н.; Янковский, Ю. Н.
2017Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремниюПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Степнов, А. К.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРАКарпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2001Дефектообразование в кремнии при высокоэнергетичной ионной имплантацииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2003Дефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесямиБринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2010ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я.
2014Исследование прочностных свойств монокристаллов и пластин полупроводников, обусловленных напряженно-деформированным и дефектно-примесным состоянием кристаллической решетки : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В.
2010Исследование структурных, механических и магнитных свойств неупорядоченных систем на основе монокристаллического кремния, легированного нетрадиционными примесями : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Просолович, В. С.Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В.; Янковский, Ю. Н.
2007Микротвердость кремния, имплантированного высокоэнергетичными ионами бораВабищевич, C. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2012МИКРОТВЕРДОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2014Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантацииБринкевич, Д. И.; Лукашевич, М. Г.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2014Модификация приповерхностных слоев имплантированных монокристаллов кремнияВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Русакевич, Д. А.; Янковский, Ю. Н.
2013Модификация приповерхностных слоев имплантированных монокристаллов кремнияПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.
2016Модификация структур фоторезист – кремний при высокоэнергетических воздействияхПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Янковский, Ю. Н.
2016О применимости методов индентирования и склерометрии для измерения прочностных характеристик полимерных пленок на кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2011ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПРИ ОТЖИГЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2003Отжиг радиационных дефектов в имплантированном ионами Yb+ кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Самохвал, В. В.; Янковский, Ю. Н.
2010Разработать физико-технологические основы формирования легированных областей для субмикронных полупроводниковых приборов с использованием высокоэнергетической ионной имплантации и дополнительного введения нетрадиционных примесей в процессе эпитаксиального наращивания : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Просолович, В. С.Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Петров, В. В.; Бринкевич, Д. И.