Logo BSU

Просмотр Авторы Прокопьев, С. Л.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 26  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2014Влияние водородной обработки на структурные свойства пленок Si / SiGe, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы при низком давленииНовиков, А. Г.; Зайков, В. А.; Прокопьев, С. Л.; Наливайко, О. Ю.; Гайдук, П. И.
2017Влияние температуры на структуру слоев SiC, сформированных при отжиге кремниевых пластин в вакуумеБатулев, А. А.; Лобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Новиков, А. Г.; Мильчанин, О. В.; Гайдук, П. И.
2017Импульсная лазерная обработка и лазерно-индуцированная проводимость тонкопленочного германияИвлев, Г. Д.; Прокопьев, С. Л.; Гацкевич, Е. И.; Файзрахманов, И. А.
2008ИМПУЛЬСНАЯ ЛАЗЕРНАЯ ОБРАБОТКА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ SiGe СПЛАВПрокопьев, С. Л.; Ивлев, Г. Д.; Гринько, С. Н.
2005ИССЛЕДОВАНИЕ СЕГРЕГАЦИИ GЕ И SN В СТРУКТУРЕ SIO2/SIПрокопьев, С. Л.; Новиков, А. Г.; Яцко, К. В.
2005Исследование сегрегации GЕ и SN в структуре SIO2/SIПрокопьев, С. Л.; Новиков, А. Г.; Яцко, К. В.
2013Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких плёнках германия на кремнии и диэлектрических подложкахБаталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Файзрахманов, И. А.; Ивлев, Г. Д.; Прокопьев, С. Л.
мая-2012Особенности агрегации наночастиц серебра в коллоидных растворах, синтезированных боргидридным методомМацкевич, Е. П.; Прокопьев, С. Л.
2010Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжигеВасильев, Ю. Б.; Плебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Гайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.
2015Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжигеСадовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.; Углов, В. В.; Гайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.; Шейников, Д. П.
2003ПРИМЕНЕНИЕ МНОГОКАНАЛЬНОГО СПЕКТРОМЕТРА SL-40 ДЛЯ КОНТРОЛЯ И УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ МАГНЕТРОННОГО НАНЕСЕНИЯ TIO2Прокопьев, С. Л.; Кулешов, В. Н.
2003Применение многоканального спектрометра SL-40 для контроля и управления процессом магнетронного нанесения TIO2Прокопьев, С. Л.; Кулешов, В. Н.
2010Разработать и исследовать структуры Si/SiO2/Si с двумерными массивами нанокристаллов Ge для энергонезависимых элементов памяти : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Гайдук, П. И.Гайдук, П. И.; Пшеничный, Е. Н.; Наливайко, О. Ю.; Зайков, В. А.; Новиков, А. Г.; Прокопьев, С. Л.; Дорошкевич, М. А.; Терентьева, О. В.; Пилько, В. В.; Камышан, А. С.; Ивлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.; Раткевич, С. В.; Борисевич, В. М.; Васильев, Ю. Б.; Рудницкий, К. В.; Лысюк, А. А.; Лепешкевич, Г. В.; Осипов, В. Е.; Чигирь, Г. Г.; Простов, И. В.; Заборовский, Г. А.; Латушко, А. А.; Яцко, К. В.
2015Разработка и исследование высокоскоростных фотодетекторов на основе аморфных и поликристаллических кремний-германиевых гетероструктур: по заданию 1.2.09 Государственной программы научных исследований на 2014-2015 годы «Электроника и фотоника» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель П. И. ГайдукГайдук, П. И.; Новиков, А. Г.; Прокопьев, С. Л.; Зайков, В. А.; Бурмаков, А. П.; Кузьмич, М. А.; Ластовская, M. В.
2013Разработка и исследование процессов выращивания кремний-германиевых гетероструктур для создания полупроводниковых приборов : отчет о научно- исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель П. И. ГайдукГайдук, П. И.; Новиков, А. Г.; Ивлев, Г. Д.; Зайков, В. А.; Прокопьев, С. Л.; Пархоменко, И. Н.; Шевцова, В. И.; Антонович, M. Л.; Наливайко, О. Ю.; Рудницкий, К. В.; Пшеничный, Е. Н.; Лепешкевич, Г. В.; Прокофьев, В. М.
2010Разработка и исследование тонких наноструктурированных слоев оксидов металлов и гетероструктур на их основе для создания высокочувствительных газовых сенсоров : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Бурмаков, А. П.Бурмаков, А. П.; Зайков, В. А.; Гайдук, П. И.; Черный, В. Е.; Кулешов, В. Н.; Прокопьев, С. Л.; Кожевко, А. Н.; Терентьева, О. В.
2013СЕГРЕГАЦИЯ ГЕРМАНИЯ ПРИ НАНОИМПУЛЬСНОМ ЛАЗЕРНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ SiGe/SiПрокопьев, С. Л.; Ивлев, Г. Д.; Гайдук, П. И.
2011СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Si/Si1-xGex:Er/Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМИ ИМПУЛЬСАМИПрокопьев, С. Л.; Гацкевич, Е. И.; Степихова, М. В.
2010СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ПОЛИ-Ge ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ И ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОТЖИГАЗайков, В. А.; Гайдук, П. И.; Новиков, А. Г.; Прокопьев, С. Л.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.
2006ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА НАНОКЛАСТЕРОВ GESN В СЛОЯХ Si И SIO2.Прокопьев, С. Л.; Гайдук, П. И.