Logo BSU

Browsing by Author Петлицкий, А. Н.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 18 of 18
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2016Быстрая термическая обработка системы TiN/Ti/SiМаркевич, М. И.; Стельмах, В. Ф.; Чапланов, А. М.; Петлицкий, А. Н.; Жигулин, Д. В.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРАКарпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2018Геттерирование неконтролируемых примесей в высокоомных пластинах кремнияЛемешевская, А. М.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Тарасик, М. И.; Цымбал, В. С.; Челядинский, А. Р.; Шестовский, Д. В.
2016Геттерирование примесей в кремнии и параметры структур «металл – окисел – полупроводник»Васильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.
2014Диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе пленок титаната стронция, сформированных золь-гель методомСохраби, Анараки Х.; Гапоненко, Н. В.; Руденко, М. В.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Гук, А. Ф.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Турцевич, А. С.
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2016Исследование методом электротепловой спектрометрии деградации структуры теплового сопротивления транзисторов КП7209 в корпусе ТО-254 при воздействии высокоинтенсивных термоударовБумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Рубцевич, И. И.
2010ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я.
2018Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытанияхБумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.
2018Материалы микро- и наноэлектроники №Уд-6213/уч.Петлицкий, А. Н.; Людчик, О. Р.
2016Методика электротепловой спектрометрии для исследования малых изменений теплового сопротивления полупроводниковых приборов при термоиспытанияхБумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.
2008Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелияТарасик, М. И.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Федотов, А. К.; Янченко, А. М.
2017Роль нитрида титана в технологии формирования силицидов титанаМаркевич, М. И.; Чапланов, А. М.; Першукевич, П. П.; Короза, А. Г.; Петлицкий, А. Н.; Жигулин, Д. В.; Кущев, С. Б.; Сериков, Д. В.
2018Силовая электроника № УД-6506/уч.Петлицкий, А. Н.
2012УПРОЧНЕНИЕ КРЕМНИЯ ВБЛИЗИ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА SIO2/SIБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Простомолотов, А. И.
2016Химическая чистота и параметры МОП-структур на кремнииВасильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.
2017Электрофизические параметры генераторных диодов для создания широкополосного шумаБуслюк, В. В.; Нерода, И. Ю.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.