Logo BSU

Browsing by Author Оджаев, В. Б.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 74  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2012ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СУРЬМЫ С МИКРОПОРАМИ ГЕТТЕРНОГО СЛОЯ В КРЕМНИИСадовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.; Тарасик, М. И.; Турцевич, А. С.; Васильев, Ю. Б.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРАКарпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2018Геттерирование неконтролируемых примесей в высокоомных пластинах кремнияЛемешевская, А. М.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Тарасик, М. И.; Цымбал, В. С.; Челядинский, А. Р.; Шестовский, Д. В.
2016Геттерирование примесей в кремнии и параметры структур «металл – окисел – полупроводник»Васильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.
2010Дефектно-примесная инженерия в бинарной сверхтвердой матрице нитрида бора: отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Азарко, И. И.Азарко, И. И.; Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Янковский, О. Н.; Козлова, Е. И.; Сидоренко, Ю. В.; Волобуев, В. С.; Долгая, Т. Н.
2003Дефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесямиБринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
1998Изменение электрических характеристик полиэтилена имплантацией и диффузиейОджаев, В. Б.; Козлова, Е. И.; Янковский, О. Н.; Козлов, И. П.; Карпович, И. А.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2010Исследование методом микроиндентирования имплантированных низкоэнергетичными ионами Sb+ структур фотополимер-кремнийБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Волобуев, В. С.; Лукашевич, М. Г.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.
2014Лабораторная работа «Диагностика алмазного сырья для наноэлектронного приборостроения методом ЭПР»Оджаев, В. Б.; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.; Макарчикова, К. Г.
2001Лазерный отжиг Аl2О3, содержащего наночастицы меди, сформированные имплантациейСтепанов, А. Л.; Оджаев, В. Б.; Холе, Д. Е.; Осин, Ю. Н.; Хайбуллин, И. Б.
May-2006Локализация импланти­руемых примесей бора и углерода в кремнииПлебанович, В. И.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.
2016Магнетизм нанокластеров 3d-металлов, полученных методом ионной имплантации в диэлектрической и полупроводниковой матрицахГоловчук, В. И.; Карпович, В. А.; Лукашевич, М. Г.; Харченко, А. А.; Хайбуллин, Р. И.; Оджаев, В. Б.
2008Магниторезистивный эффект в модифицированных имплантацией ионов железа пленках полиэтилентерефталата, обусловленный доменными стенкамиВолобуев, В. С.; Лукашевич, М. Г.; Мельников, А. А.; Хайбуллин, Р. И.; Валеев, В. Ф.; Wieck, А.; Оджаев, В. Б.
Sep-2010Магниторезистивный эффект в полимерных композитах с нанокластерами магнитных и немагнитных металловНажим, Ф. А.; Лукашевич, М. Г.; Базаров, В. В.; Хайбуллин, Р. И.; Оджаев, В. Б.
2012Массивы углеродных нанотрубок: механизмы проводимости и применение для создания датчиков влажности : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Анищик, В. М.Анищик, В. М.; Оджаев, В. Б.; Ксеневич, В. К.
2017Моделирование диффузии имплантированного бора в кремнииЧелядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.
2017Модификация оптических свойств оксида цинка имплантацией ионов кобальтаГоловчук, В. И.; Гумаров, А. И.; Бумай, Ю. А.; Лукашевич, М. Г.; Оджаев, В. Б.; Харченко, А. А.; Хайбуллин, Р. И.
2014Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантацииБринкевич, Д. И.; Лукашевич, М. Г.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.