Электронная библиотека БГУ: Просмотр

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Зезюля, А. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:

Результаты 1 - 7 из 7

Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2003	Влияние дозы и энергии имплантированных ионов бора на перенос электронов в n-канале кремниевых короткоканальных МОП-транзисторов	Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Борздов, А. В.; Малышев, В. С.
	2003	Интенсивности рассеяния вторичных дырок в N-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторов	Борздов, В. Н.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Комаров, Ф. Ф.; Малышев, В. С.
	2003	Интенсивности рассеяния вторичных дырок в w-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторов	Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.; Зезюля, А. В.
	2002	Приближение граничных условий для расчета электрических полей в ультракороткоканальных МОП-транзисторах	Зезюля, А. В.
	2002	Приближение граничных условий для расчёта электрических полей ультракороткоканальных моп-транзиторах	Зезюля, А. В.
	2003	Расчет интенсивностей рассеяния носителей заряда при моделировании полупроводниковых приборных структур микро- и наноэлектроники	Зезюля, А. В.; Поздняков, Д. В.
	2003	Расчет интенсивностей рассеяния носителей заряда при моделировании полупроводниковых приборных структур микро- и наноэлектроники	Зезюля, А. В.; Поздняков, Д. В.

Результаты 1 - 7 из 7