Logo BSU

Просмотр Авторы Гацкевич, Е. И.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 34  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2001Воздействие импульсного лазерного излучения на GaAs в прозрачных жидких средахГацкевич, Е. И.; Ивлеев, Г. Д.; Шараев, Д. Н.
2006Воздействие импульсного лазерного излучения на ZnTeИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.; Постнова, Л. И.
2003Воздействие импульсного лазерного излучения на слои кремния, имплантированные ионами железаБаязитов, Р. М.; Баталов, Р. И.; Ивлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.; Dezsi, I.; Kotai, E.
2005Воздействие наноимпульсного лазерного уф-излучения на гетеросистему германий/кремнийИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
2004Воздействие наноимпульсного уф-излучения эксимерного лазера на гетеросистему германий/кремнийИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
23-янв-2010Динамика инфракрасного излучения кремния при наносекундном лазерном воздействииИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
2000Динамика отражательной способности и температуры поверхности кремния при импульсном лазерном нагревеИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.; Шараев, Д. Н.
2008Динамика отражательной способности полупроводниковых материалов при наносекундном лазерном воздействииИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
2003Динамика отражения и поглощения зондирующего излучения теллуридом кадмия в условиях наносекундного лазерного воздействияИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
2017Импульсная лазерная обработка и лазерно-индуцированная проводимость тонкопленочного германияИвлев, Г. Д.; Прокопьев, С. Л.; Гацкевич, Е. И.; Файзрахманов, И. А.
2017Импульсная лазерная обработка тонкоплёночного германия на полупроводниковых и диэлектрических подложкахБаталов, Р. И.; Баязитов, P. M.; Файзрахманов, И. А.; Ивлев, Г. Д.; Прокопьев, С. Л.; Гацкевич, Е. И.; Князев, М. А.; Гундина, М. А.
2015КОМБИНИРОВАННЫЙ НАГРЕВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ НАНО- И МИЛЛИСЕКУНДНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
ноя-2019Лазерно-индуцированные диффузионные процессы в гетероструктурах Ge/Si и GeSi/SiИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
2008Лазерно-индуцированные процессы модификации поверхности кристаллов CdMnTeБайдуллаева, А.; Власенко, А. И.; Гацкевич, Е. И.
2011ЛАЗЕРНО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ИНФРАКРАСНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ Ge/Si ГЕТЕРОСТРУКТУРГацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Двуреченский, А. В.
2010Лазерное легирование теллурида кадмияИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.; Левченко, В. И.; Постнова, Л. И.
2002Моделирование лазерно-индуцированных процессов плавления и отвердевания субмикронных слоев GAASГацкевич, Е. И.; Жвавый, С. П.; Ивлев, Г. Д.; Шараев, Д. Н.
2006Модифицирование гетероструктуры a-Ge/Si воздействием импульсного лазерного излученияИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
2006Модифицирование гетероструктуры a-Ge/Si воздействием импульсного лазерного излученияИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
2017Морфология и лазерно-индуцированная проводимость тонких плёнок германия, модифицированных импульсным лазерным облучениемИвлев, Г. Д.; Прокопьев, С. Л.; Гацкевич, Е. И.; Файзрахманов, И. А.