Logo BSU

Browsing by Author Борздов, В. М.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 47  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2003Влияние дозы и энергии имплантированных ионов бора на перенос электронов в n-канале кремниевых короткоканальных МОП-транзисторовБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Борздов, А. В.; Малышев, В. С.
2008Влияние поперечного электрического поля на дрейфовую скорость электронов в тонкой GaAs квантовой проволокеБорздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, В. М.
2017Генерация гармоник терагерцового диапазона в GaAs/AlAs квантовой проволокеБорздов, A. B.; Борздов, В. М.
1999Дрейфовая скорость электронов в высоколегированной подложке кремниевого МОП-ПТАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Русецкий, А. М.
2003Интенсивности рассеяния вторичных дырок в w-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторовБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.; Зезюля, А. В.
2016Моделирование ВАХ субмикронного КНИ-МОП-транзистора с учетом процесса ударной ионизацииБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Дорожкин, Н. Н.
1997Моделирование влияния процессов рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансных туннельных диодовБорздов, В. М.; Врубель, М. М.; Мулярчик, С. Г.; Хомич, А. В.
2013Моделирование и оптимизация приборных структур с холодными катодами на основе углеродных нанотрубок : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.
2014Моделирование методом Монте-Карло влияния ударной ионизации на ВАХ и флуктуации тока в кремниевом диоде со структурой n+-n-n+Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Буслюк, В. В.
2011Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИСБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф.
2017Моделирование методом Монте-Карло токовых флуктуаций в GaAsНовиков, И. С.; Борздов, В. М.
2017Моделирование методом Монте-Карло фототока субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излученияБорздов, А. В.; Борздов, В. М.
2006Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровнейЖевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.
2014Моделирование полевых КНИ-нанотранзисторов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.
18-Nov-2013Моделирование приборов интегральной электроники и наноэлектроники №УД-665/рБорздов, В. М.
2008Моделирование процесса переноса электронов в полевых транзисторах со структурой КНИПавлова, О. С.; Борздов, В. М.
2010Моделирование структуры и электрических характеристик P№-транзистора при различных параметрах эпитаксиальной плёнкиДудар, Н. Л.; Борздов, В. М.
2001Моделирование технологических процессов и приборных структур в микро- и наноэлектроникеКомаров, Ф. Ф.; Борздов, В. М.; Комаров, А. Ф.; Жевняк, О. Г.; Галенчик, В. О.; Миронов, A. М.
2015Моделирование токовых флуктуаций в полупроводниковых наноструктурах. По заданию 2.2.06 «Разработка моделей для расчета и исследования квантоворазмерных наноструктур». ГПНИ «Функциональные и композиционные материалы, наноматериалы» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.; Сетун, А. Н.
18-Nov-2013Моделирование физических процессов в микро- и наносистемах №УД-684/рБорздов, В. М.