| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2003 | Влияние дозы и энергии имплантированных ионов бора на перенос электронов в n-канале кремниевых короткоканальных МОП-транзисторов | Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Борздов, А. В.; Малышев, В. С. |
| 2008 | Влияние поперечного электрического поля на дрейфовую скорость электронов в тонкой GaAs квантовой проволоке | Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, В. М. |
| янв-2008 | Влияние содержания алюминия в барьерном слое AlxGa1–xAs на дрейфовую скорость электронов в квантовой проволоке на основе гетероструктуры GaAs/AlxGa1–xAs | Борздов, А. В. |
| 2016 | Моделирование ВАХ субмикронного КНИ-МОП-транзистора с учетом процесса ударной ионизации | Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Дорожкин, Н. Н. |
| 2023 | Моделирование влияния затворного напряжения на плотность паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| мая-2006 | Моделирование влияния процесса ударной ионизации на перенос электронов в субмикронном МОП-транзисторе | Галенчик, В. О.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С. |
| 2023 | Моделирование влияния процессов генерации-рекомбинации на подвижность электронов в кремнии | Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Петлицкий, А. Н. |
| 2023 | Моделирование влияния стокового напряжения на форму потенциального барьера в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| 2020 | Моделирование воздействия импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности на ток стока глубокосубмикронного КНИ-МОП-транзистора | Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| 2013 | Моделирование и оптимизация приборных структур с холодными катодами на основе углеродных нанотрубок : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. Борздов | Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В. |
| 2014 | Моделирование методом Монте-Карло влияния ударной ионизации на ВАХ и флуктуации тока в кремниевом диоде со структурой n+-n-n+ | Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Буслюк, В. В. |
| 2021 | Моделирование методом Монте-Карло кремниевого фотодетектора со структурой металл-полупроводник-металл | Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| 2011 | Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИС | Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф. |
| 2022 | Моделирование методом Монте-Карло пространственного распределения энергии электронов в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Леонтьев, А. В. |
| 2017 | Моделирование методом Монте-Карло фототока субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излучения | Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| ноя-2019 | Моделирование нелинейного переноса электронов в GaAs квантовой проволоке многочастичным методом Монте-Карло | Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| 2022 | Моделирование отклика тока кремниевого фотодиода с p–n-переходом на воздействие импульсов лазерного излучения | Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Буйновский, Д. Н.; Петлицкий, А. Н. |
| 2006 | Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровней | Жевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О. |
| 2014 | Моделирование полевых КНИ-нанотранзисторов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. Борздов | Борздов, В. М.; Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В. |
| 2020 | Моделирование процессов нелинейного переноса и генерации гармоник терагерцового диапазона в полупроводниковых квантовых проволоках : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов | Борздов, В. М.; Борздов, А. В. |
