Logo BSU

Просмотр Авторы Анискевич, Е. Н.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 18 из 18
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2015Зависимость подпотенциального сдвига катодного осаждения металлов на теллур от энергии Гиббса образования теллуридовАнискевич, Е. Н.; Чулкин, П. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2015Зависимость подпотенциального сдвига катодного осаждения металлов на теллур от энергии Гиббса образования теллуридовАнискевич, Е. Н.; Чулкин, П. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2018Лигандный и размерный эффекты при электрохимическом осаждении атомных слоев кадмия на квантовые точки CdSeАнискевич, Е. Н.; Прудников, А. В.; Антанович, А. В.; Артемьев, М. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2018Лигандный и размерный эффекты при электрохимическом осаждении атомных слоев кадмия на квантовые точки CdSeАнискевич, Е. Н.; Прудников, А. В.; Антанович, А. В.; Артемьев, М. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2020Новые неорганические электродные материалы для преобразования и запасания энергии : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Е. А. Стрельцов.Стрельцов, Е. А.; Анискевич, Е. Н.; Боковец, А. С.; Семенов, В. В.
2017Подпотенциальное осаждение (upd) металлов на халькогениды металловРагойша, Г. А.; Анискевич, Е. Н.; Стрельцов, Е. А.
2017Подпотенциальное осаждение (upd) металлов на халькогениды металловРагойша, Г. А.; Анискевич, Е. Н.; Стрельцов, Е. А.
2017Размерные эффекты в осаждении атомных слоев металлов на халькогениды металловАнискевич, Е. Н.; Малащёнок, Н. В.
2023Сверхрешетки Bi5Te3 как катодный материал водного цинк-ионного аккумулятораБоковец, А. С.; Рагойша, Г. А.; Анискевич, Е. Н.; Стрельцов, Е. А.
2019Синтез и характеризация новых наноструктурированных электродных материалов для хранения и преобразования энергии : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Е. А. СтрельцовСтрельцов, Е. А.; Малащенок, Н. В.; Анискевич, Е. Н.; Семенов, В. В.
2021ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ОПТИЧЕСКИЙ ОТКЛИК ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОДОВ, СФОРМИРОВАННЫХ ИЗ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СЕЛЕНИДА КАДМИЯАнискевич, Е. Н.; Радченко, А. В.; Артемьев, М. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2022Электрохимическое заряжение наночастиц полупроводников в апротонных растворителях для создания электрохромных покрытий : отчет о научно-исследовательской и опытно-конструкторской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Е. А. СтрельцовСтрельцов, Е. А.; Анискевич, Е. Н.; Иодчик, А. Г.; Фалко, А. О.
2018Электрохимическое модифицирование Bi 2 Te 3 и гетероструктур Bi 2 Te 3 ‒Te адатомными слоями PbБоковец, А. С.; Анискевич, Е. Н.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2018Электрохимическое модифицирование Bi 2 Te 3 и гетероструктур Bi 2 Te 3 –Te адатомными слоями PbБоковец, А. С.; Анискевич, Е. Н.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2019Электрохимическое осаждение атомных слоев металлов на полупроводниковые халькогениды : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. В. МалащенокМалащенок, Н. В.; Анискевич, Е. Н.
2018Электрохимическое формирование новых термоэлектрических материалов на основе слоистых полупроводников : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Е. А. СтрельцовСтрельцов, Е. А.; Анискевич, Е. Н.; Бондаренко, Е. А.; Боковец, А. С.
2021Электрохимия материалов (Bi 2) m (Bi 2Te 3) n со сверхрешеточной структуройБоковец, А. С.; Анискевич, Е. Н.; Рагойша, Г. А.; Цынцару, Н.; Цесиулис, Х.; Стрельцов, Е. А.
2018Электрохимия халькогенидных и оксохалькогенидных соединений висмута : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Е. А. СтрельцовСтрельцов, Е. А.; Бондаренко, Е. А.; Анискевич, Е. Н.; Боковец, А. С.