Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Андреев, А. Д.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 14 из 14
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2000Аппроксимация эмиссионного тока электронов в диэлектрик затвора МОП-ПТАндреев, А. Д.; Комаров, Ф. Ф.; Михей, В. Н.
2003Апроксимация начального участка BAX высоколегированного tv-канального МОП-транзистораАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Мулярчик, С. Г.; Жевняк, О. Г.; Шевкун, И. М.
2003Апроксимация начального участка ВАХ высоколегированного МОП-транзистораАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
2003Влияние сегрегации примесей на сквозное обеднение в tv-канальном МОП-транзистореАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
2003Влияние сегрегации примеси на сквозное объединение в n-канальном МОП транзистореАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
1996Влияние уровня легирования на насыщение тока в n-канальном МОП-ПТАндреев, А. Д.; Бельский, А. М.; Валиев, А. А.
1999Дрейфовая скорость электронов в высоколегированной подложке кремниевого МОП-ПТАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Русецкий, А. М.
мая-2009Определение концентрации примеси и дрейфовой скорости электронов в высоколегированном короткоканальном nМОП-транзистореАндреев, А. Д.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.; Сперанский, Д. С.
1997Особенности ВАХ МОП-ПТ с высоколегированной подложкойАндреев, А. Д.; Бельский, А. М.; Валиев, А. А.
2000Оценка величины заряда электронов в канале субмикронного МОП транзистораАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.
1993Оценка параметров, влияющих на ток подложки и деградацию МОП-ПТ в режиме разогрева электроновАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Дитковский, В. М.
1992Устройство для измерения концентрации примесей в МОП-ПТАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Дитковский, В. М.
мая-2007Формирование проводящего канала в высоколегированном nМОП-транзисторе в линейном режиме работыАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
1998Эмиссия горячих электронов в подзатворный диэлектрик МОП-ПТ с высоколегированной подложкойАндреев, А. Д.; Комаров, Ф. Ф.; Михей, В. Н.
Результаты 1 - 14 из 14