Logo BSU

Просмотр Авторы Wendler, E.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 14 - 27 из 27 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2017Влияние «горячих» условий имплантации и высокотемпературного отжига на процессы формирования нанокластеров ZnSe в слоях SiO2Моховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Wendler, E.
2023Влияние дозы имплантации на электрофизические свойства диоксида кремния, имплантированного высокими дозами ионов оловаРоманов, И. А.; Комаров, Ф. Ф.; Wendler, E.
2023Влияние импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, имплантированного ионами In и AsКомаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Моховиков, М. А.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Wendler, E.
2016Влияние режимов имплантации и термообработок на видимую фотолюминесценцию Zn(Se, S) нанокластеров в SiO2Моховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Мудрый, А. В.; Wendler, E.
2017Влияние условий синтеза и облучения высокоэнергетическими ионами ксенона на фотолюминесценцию системы «нанокластеры InAs В Si и SiO2»Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Нечаев, Н. С.; Wendler, E.
2023Ионная имплантация в технологиях кремниевой фотоникиКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Романов, И. А.; Мудрый, А. В.; Wendler, E.; Żuk, J.
2016Ионно-лучевое формирование и трековая модификация нанокластеров InAs в кремнии и диоксиде кремнияКомаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Скуратов, В. А.; Моховиков, М. А.; van Vuuren, A. Janse; Neethling, J. N.; Wendler, E.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Ювченко, В. Н.
2019Применение метода мгновенных ядерных реакций для изучения влияния Li на структурно-фазовое состояние быстрозатвердевшего сплава системы Al-Mg-LiБушкевич, И. А.; Шепелевич, В. Г.; Wendler, E.; Ташлыкова-Бушкевич, И. И.; Адинцов, Н. В.; Кочерга, М. В.
2017Свечение ионно-имплантированного кремния в ИК-диапазоне: люминесценция от дислокаций и нанокристаллов А3В5Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Пархоменко, И. Н.; Мильчанин, О. В.; Wendler, E.; Мудрый, А. В.; Живулько, В. Д.
2023Структура и оптические свойства кремния, гипердопированного атомами индия и мышьяка: эффект электроннолучевого отжигаМильчанин, О. В.; Комаров, Ф. Ф.; Моховиков, М. А.; Роговая, И. С.; Пархоменко, И. Н.; Коваль, Н. Н.; Тересов, А. Д.; Королик, О. В.; Wendler, E.
2020Структурно-фазовый состав и люминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Zn и (Zn+O): влияние режимов имплантации и термообработкиМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Żuk, J.; Wendler, E.; Мудрый, А. В.; Королев, Д. С.
ноя-2019Формирование нанокластеров ZnSe в диоксиде кремния методом высокодозной ионной имплантации: моделирование и экспериментМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Wendler, E.
2017Формирование нанокластеров ZnSe и ZnS в слоях SiO2 с использованием режима «горячей» имплантации примесиМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Wendler, E.
2021Эффекты облучения ионами аргона наноструктурированных покрытий TiAlNКонстантинов, С. В.; Wendler, E.; Комаров, Ф. Ф.; Зайков, В. А.