Logo BSU

Просмотр Авторы Wendler, E.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 8 - 27 из 27 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2019Structural and emitting properties of Zinc Oxide nanocrystals synthesized by high-fluence ion implantationParkhomenko, I. N.; Vlasukova, L. A.; Komarov, F. F.; Makhavikou, M.; Milchanin, O. V.; Wendler, E.; Ronning, C.; Zaph, M.; Korolev, D. S.
2019Structural evolution and photoluminescence of SiO2 layers with Sn nanoclusters formed by ion implantationRomanov, I.; Komarov, F.; Milchanin, O.; Vlasukova, L.; Parkhomenko, I.; Makhavikou, M.; Wendler, E.; Mudryi, A.; Togambayeva, A.
2012Structure and optical properties of silicon layers with GaSb nanocrystals created by ion-beam synthesisKomarov, F.; Vlasukova, L.; Milchanin, O.; Mudryi, A.; Dunets, B.; Wesch, W.; Wendler, E.
2011Structure and Optical Properties of Silicon Layers with GaSb Nanocrystals Created by Ion-Beam SynthesisKomarov, F.; Vlasukova, L.; Milchanin, O.; Mudryi, A.; Dunetz, B. S.; Wesch, W.; Wendler, E.; Karwat, C.
июн-2018Structure and optical properties of SiO2 films with ZnSe nanocrystals formed by ion implantationMakhavikou, M.; Komarov, F.; Parkhomenko, I.; Vlasukova, L.; Milchanin, O.; Żuk, J.; Wendler, E.; Romanov, I.; Korolik, O.; Togambayeva, A.
2014Threshold and criterion for ion track etching in SiO2layers grown on SiVlasukova, L. A.; Komarov, F. F.; Yuvchenko, V. N.; Wesch, W.; Wendler, E.; Didyk, A. Yu.; Skuratov, V. A.; Kislitsin, S. B.
2017Влияние «горячих» условий имплантации и высокотемпературного отжига на процессы формирования нанокластеров ZnSe в слоях SiO2Моховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Wendler, E.
2023Влияние дозы имплантации на электрофизические свойства диоксида кремния, имплантированного высокими дозами ионов оловаРоманов, И. А.; Комаров, Ф. Ф.; Wendler, E.
2023Влияние импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, имплантированного ионами In и AsКомаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Моховиков, М. А.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Wendler, E.
2016Влияние режимов имплантации и термообработок на видимую фотолюминесценцию Zn(Se, S) нанокластеров в SiO2Моховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Мудрый, А. В.; Wendler, E.
2017Влияние условий синтеза и облучения высокоэнергетическими ионами ксенона на фотолюминесценцию системы «нанокластеры InAs В Si и SiO2»Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Нечаев, Н. С.; Wendler, E.
2023Ионная имплантация в технологиях кремниевой фотоникиКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Романов, И. А.; Мудрый, А. В.; Wendler, E.; Żuk, J.
2016Ионно-лучевое формирование и трековая модификация нанокластеров InAs в кремнии и диоксиде кремнияКомаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Скуратов, В. А.; Моховиков, М. А.; van Vuuren, A. Janse; Neethling, J. N.; Wendler, E.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Ювченко, В. Н.
2019Применение метода мгновенных ядерных реакций для изучения влияния Li на структурно-фазовое состояние быстрозатвердевшего сплава системы Al-Mg-LiБушкевич, И. А.; Шепелевич, В. Г.; Wendler, E.; Ташлыкова-Бушкевич, И. И.; Адинцов, Н. В.; Кочерга, М. В.
2017Свечение ионно-имплантированного кремния в ИК-диапазоне: люминесценция от дислокаций и нанокристаллов А3В5Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Пархоменко, И. Н.; Мильчанин, О. В.; Wendler, E.; Мудрый, А. В.; Живулько, В. Д.
2023Структура и оптические свойства кремния, гипердопированного атомами индия и мышьяка: эффект электроннолучевого отжигаМильчанин, О. В.; Комаров, Ф. Ф.; Моховиков, М. А.; Роговая, И. С.; Пархоменко, И. Н.; Коваль, Н. Н.; Тересов, А. Д.; Королик, О. В.; Wendler, E.
2020Структурно-фазовый состав и люминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Zn и (Zn+O): влияние режимов имплантации и термообработкиМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Żuk, J.; Wendler, E.; Мудрый, А. В.; Королев, Д. С.
ноя-2019Формирование нанокластеров ZnSe в диоксиде кремния методом высокодозной ионной имплантации: моделирование и экспериментМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Wendler, E.
2017Формирование нанокластеров ZnSe и ZnS в слоях SiO2 с использованием режима «горячей» имплантации примесиМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Wendler, E.
2021Эффекты облучения ионами аргона наноструктурированных покрытий TiAlNКонстантинов, С. В.; Wendler, E.; Комаров, Ф. Ф.; Зайков, В. А.