Logo BSU

Browsing by Author Явид, В. Ю.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 3 to 9 of 9 < previous 
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2003Накопление радиационных дефектов в кремнии при имплантации ионов азотаЧелядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Венгерэк, П.
2004Остаточные дефекты в кремнии, имплантированном ионами бора и фосфораКомаров, Ф. Ф.; Джадан, М.; Гайдук, П. И.; Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Жуковский, П. В.; Партыка, Я.; Венгерек, П.
2001Перспективные полупроводниковые материалы: физика и технологияДоросинец, В. А.; Захаров, А. Г.; Ланчук, H. М.; Лукашевич, М. Г.; Поклонский, Н. А.; Челядинский, А. P.; Явид, В. Ю.; Янченко, А. М.
2010Разработать физические основы технологии создания бездефектных ионно-легированных структур кремния с целью улучшения параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем на их основе и повышении выхода годных изделий микроэлектроники : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Челядинский, А. Р.Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Васильева, Л. А.; Садовский, П. К.; Васильев, Ю. Б.
2008Токи утечки в p-n-переходах интегральных схем, изготовленных пошаговым методом ионного легированияПлебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Васильев, Ю. Б.; Явид, В. Ю.; Челядинский, А. Р.