| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2018 | Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2022 | Зарядовые свойства тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработки | Ковальчук, Н. С.; Марудо, Ю. А.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Анищик, В. М.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В. |
| 2008 | Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробоя | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Лacтoвcкий, С. Б.; Wieck, А. |
| 2010 | Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А. |
| 2016 | Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А. |
| 2018 | Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2022 | Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом многостадийного быстрого термического отжига | Ковальчук, Н. С.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В. |
| 2012 | ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В. |
| 2002 | Определение времени жизни носителей заряда в полупроводниковом диоде из измерений высокочастотного импеданса | Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А. |
| 2021 | Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2012 | ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б. |
| 2014 | Перенос заряда в кремниевых p+n-диодах со сформированным высокоэнергетической имплантацией тяжелых ионов потенциальным рельефом в базовой области : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Н. И. Горбачук | Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н. |
| 2014 | Перенос заряда и переходные процессы в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Во Куанг Нья; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А. |
| 2014 | Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Во Куанг Нья; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Ластовский, С. Б.; Скуратов, В. А. |
| 2014 | Разработка физико-технологических методов создания бездислокационных легированных слоев кремния и моделирование переходных процессов на границах раздела структур субмикронных интегральных микросхем : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. Оджаев | Оджаев, В. Б.; Челядинский, А. Р.; Петров, В. В.; Азарко, И. И.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н.; Сидоренко, Ю. В.; Садовский, П. К. |
| 2010 | Создание аналогов катушек индуктивности на основе кремниевых приборных структур с дефектами кристаллической решетки : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Горбачук, Н. И. | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Ермакова, А. В.; Долгая, Т. Н. |
| 2017 | Стабилизация параметров границы раздела Si-SiO2 c помощью быстрой термической обработки | Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Горушко, В. А.; Филипеня, В. А. |
| 2016 | Химическая чистота и параметры МОП-структур на кремнии | Васильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р. |
