Электронная библиотека БГУ: Просмотр

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Снитовский, Ю. П.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:

Результаты 1 - 8 из 8

Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2019	Влияние облучения ионами бора омических контактов Mo/p+Si на свойства СВЧ-транзисторов	Снитовский, Ю. П.
	2021	Влияние проникающего излучения на характеристики биполярного транзистора с изолированным затвором	Ловшенко, И. Ю.; Снитовский, Ю. П.; Стемпицкий, В. Р.
	2017	Ионная имплантация через слой SiO2 и возможность ее применения при изготовлении полупроводниковых приборов	Снитовский, Ю. П.
	2023	Компактная модель кремниевого микрострипового детектора	Рощенко, П. С.; Волчёк, В. С.; Снитовский, Ю. П.; Ловшенко, И. Ю.
	2017	Особенности структуры переходного слоя системы Mo/Si, облученной ионами фосфора	Снитовский, Ю. П.; Ходарина, Л. П.
	2003	Реконструкция поверхности кремния при очистке и ее влияние на величину переходного сопротивления контактов Mo/Si и параметры биполярных СВЧ транзисторов	Снитовский, Ю. П.
	2015	СВОЙСТВА ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ Mo/Si, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ БОРА, ФОСФОРА, АРГОНА	Снитовский, Ю. П.
	2015	УПРАВЛЯЕМАЯ ТРАНСФОРМАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ БИПОЛЯРНЫХ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ ИОННЫМИ ПУЧКАМИ	Солодуха, В. А.; Снитовский, Ю. П.

Результаты 1 - 8 из 8