Logo BSU

Просмотр Авторы Просолович, В. С.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 88 - 99 из 99 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2010ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННОГО Si:GeБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Петров, В. В.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.
мая-2023Физико-механические свойства пленок диазохинонноволачных фоторезистов на монокристаллическом кремнии, облученных электронамиБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Ластовский, С. Б.; Точилин, Е. В.
8-июл-2022Физико-химические основы технологических процессов : учебная программа учреждения высшего образования по учебной дисциплине для специальности: 1-31 04 01 Физика (по направлениям) направление специальности 1-31 04 01-02 Физика (производственная деятельность) № УД - 11170/уч.Просолович, В. С.; Хмельницкий, А. И.; Коваленко, Е. И.
янв-2010Формирование примесно-дефектных комплексов в кремнии, выращенном при наложении на расплав магнитных полейБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Просолович, В. С.
2008Формирование сильнолегированных «карманов» КМОП-структур высокоэнергетичной ионной имплантациейБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, О. Н.; Янковский, Ю. Н.
2020Электронная проводимость в имплантированном ионами Р+ позитивном фоторезистеОлешкевич, А. Н.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Карпович, И. А.; Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.
10-сен-2023Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60СоКовальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2021Электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Мавланов, Г. Х.; Исмайлов, Б. К.; Кенжаев, З. Т.
2017Электрофизические параметры генераторных диодов для создания широкополосного шумаБуслюк, В. В.; Нерода, И. Ю.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2020Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шумаБуслюк, В. В.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Янковский, Ю. Н.
2022Электрофизические характеристики силовых МОП-транзисторов, дополнительно имплантированных ионами азотаОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020ЭПР спектроскопия имплантированных ионами Р+ и B+ пленок диазохинон-новолачного фоторезистаБринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.; Олешкевич, А. Н.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.