Logo BSU

Просмотр Авторы Прокопьев, С. Л.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 30 - 42 из 42 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2006Формирование и свойства нанокластеров GESN в слоях Si и SIO2.Прокопьев, С. Л.; Гайдук, П. И.
сен-2008Формирование квантоворазмерных структур на основе сплавов GеSnГайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.; Хансен, Д. Л.; Ларсен, А. Н.
2015Формирование металлических наноструктур в слоях si и sige импульсным лазерным воздействием для применения в фотоприемных устройствах : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ; научный руководитель Прокопьев С.Л.Прокопьев, С. Л.; Новиков, А. Г.; Шевцова, В. И.
2007Формирование нанокластеров в слоях SiО2, имплантированных ионами Ge и SnПрокопьев, С. Л.; Гайдук, П. И.; Веш, В.; Ларсен, А. Н.
2022Формирование наноразмерных островков на поверхности монокристаллических слоев Si/SiGe при импульсном лазерном облученииПрокопьев, С. Л.; Гайдук, П. И.
янв-2011Формирование нанослоев Ge пиролизом моногермана при пониженном давленииЗайков, В. А.; Гайдук, П. И.; Новиков, А. Г.; Прокопьев, С. Л.; Турцевич, А. С.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.; Карпович, В. Б.
2022Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработкиЛобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Моховиков, М. А.; Королик, О. В.; Гайдук, П. И.
2010Фотоприемники на основе поли-SiGe/Si структур, модифицированных лазерной обработкойГайдук, П. И.; Зайков, В. А.; Прокопьев, С. Л.; Казючиц, Н. М.; Русецкий, М. С.; Ивлев, Г. Д.; Наливайко, О. Ю.
2018Чувствительность к метану нанокомпозитных слоев SnO2/Ag после импульсного лазерного облученияГайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.
2010ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК SiGeПрокопьев, С. Л.; Кивеня, С. Ю.; Зайков, В. А.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.; Казючиц, Н. М.; Гайдук, П. И.
2016Электрофизические свойства поликристаллических слоев Ge+Sn после обработки в водородной плазмеПрокопьев, С. Л.; Сульжич, И. А.; Новиков, А. Г.; Гайдук, П. И.
2022Электрофизические характеристики приборных структур на основе нанометровых поликристаллических слоев SiGe после импульсной лазерной обработкиПрокопьев, С. Л.; Зайков, В. А.
2017Эффект резистивной памяти в структурах Si/SiNx/ITOРоманов, И. A.; Бирюков, A. A.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Прокопьев, С. Л.; Пархоменко, И. Н.