Logo BSU

Просмотр Авторы Пилипенко, В. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 26 - 45 из 54 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2024Механизм взаимодействия алюминия с поликремнием при формировании омического контакта методами длительной и быстрой термообработокПилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
мая-2006Модель термического окисления кремния при быстрой термической обработкеПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Вечер, Д. В.; Горушко, В. А.; Петлицкая, Т. В.
2000Оборудование для быстрой термообработки (БТО) в технологии создания СБИСТочицкий, Я. И.; Матюшков, В. Е.; Русецкий, А. М.; Пилипенко, В. А.; Пономарь, В. М.; Людчик, О. Р.
2017Образование высокопоглощающих нано- и микроструктур на поверхности металлов при наносекундном лазерном воздействииБатище, С. А.; Бушук, С. Б.; Пилипенко, В. А.; Татур, Г. А.; Жигулин, Д. В.
2023Образование фиксированного заряда в SiO2, полученным пирогенным окислением кремнияПилипенко, В. А.; Омельченко, А. А.
2017Особенности возникновения структурных дефектов в сильнолегированном Si при диффузии фосфораБеляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Конакова, Р. В.; Кладько, В. П.; Любченко, О. И.; Саченко, А. В.; Сафрюк, Н. В.; Шинкаренко, В. В.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Ходин, А. А.; Романец, П. Н.; Кудрик, Я. Я.
янв-2009Особенности лавинного пробоя перехода коллектор - база субмикронного биполярного транзистораПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2008Особенности лавинного пробоя перехода коллектор-база субмикронного биполярного транзистораПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2018Особенности режимов формирования силицида платины при быстрой термообработкеСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.
мая-2010Особенности формирования базового диэлектрика при вертикальном масштабировании микросхемПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2015Оценка равномерности нагрева поверхности полупроводниковых пластин при быстрой термической обработкеГорушко, В. А.; Пилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Петлицкая, Т. В.; Солодуха, В. А.; Шведов, С. В.
2013Оценка равномерности облучения полупроводниковых пластин в камере установки БТОПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Петлицкая, Т. В.
2019Перераспределение примеси в ионно-легированных слоях при быстрой термообработке подзатворного диэлектрикаАнищик, В. М.; Горушко, В. А.; Пилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Солодуха, В. А.
2002Перераспределение элементного состава и изменение структуры в плёнках Си-С60 при отжигеШпилевский, Э. М.; Баран, Л. В.; Пилипенко, В. А.; Ухов, В. А.
1998Планаризация поверхности изолирующего диэлектрика с использованием быстрой термической обработкиПономарь, В. Н.; Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.; Тарасик, М. И.
2017Применение быстрой термической обработки для отжига ионно-легированных слоев в поликремнииАнищик, В. М.; Горушко, В. А.; Пилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Солодуха, В. А.
2021Проект «Цифровой бейдж»: обоснование замыслаАнтонов, М. П.; Пилипенко, В. А.; Королева, Е. Н.
2023Распределение эрбия по толщине золь-гель пленок титаната барияСтаськов, Н. И.; Лашковская, Е. И.; Гапоненко, Н. В.; Корнилова, Ю. Д.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Чудаков, Е. А.; Сотский, А. Б.; Сотская, Л. И.; Бойко, А. А.; Семченко, А. В.
2013Расчет равномерности нагрева поверхности кремниевых пластин в камере установки быстрой термической обработкиГорушко, В. А.; Пилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.
2017Стабилизация параметров границы раздела Si-SiO2 c помощью быстрой термической обработкиПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Горушко, В. А.; Филипеня, В. А.