Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Пилипенко, В. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 54  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2020Бесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методомТявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Тявловский, К. Л.; Пантелеев, К. В.; Воробей, Р. И.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2004Быстрые термообработки в технологии СБИС / В. А. ПилипенкоПилипенко, В. А.
2018Влияние быстрой термической обработки исходных кремниевых пластин на процесс их пирогенного окисленияАнищик, В. М.; Горушко, В. А.; Пилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Солодуха, В. А.
2021Влияние быстрой термической обработки на оптические характеристики кремнияПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Горушко, В. А.; Омельченко, А. А.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
2011ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ НА СТРУКТУРУ TiSi2 И ПРОВОДИМОСТЬ ШИН МЕТАЛЛИЗАЦИИ НА ЕГО ОСНОВЕПилипенко, В. А.; Горушко, В. А.; Шведов, С. В.
мая-2011Влияние вертикального масштабирования на статические и динамические параметры биполярных микросхемПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Шведов, С. В.; Петлицкая, Т. В.
2023Влияние длительной и быстрой термообработок на формирование границы раздела алюминий – поликремнийПилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
1985Влияние импульсной оптической обработки на параметры диэлектрических пленокГорушко, В. А.; Николаеня, А. З.; Пилипенко, В. А.; Стержанов, Н. И.; Чигирь, Г. Г.
мая-2007Влияние лазерного геттерирования на структурные и электрические параметры эпитаксиальных слоев кремнияПилипенко, В. А.; Вечер, Д. В.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
янв-2008Влияние лазерного геттерорирования кремниевых пластин на свойства границы раздела Si – SIO2Пилипенко, В. А.; Вечер, Д. В.; Понарядов, В. А.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2007Влияние лазерной обработки импульсами наносекундной длительности на поверхностные свойства кремнияПилипенко, В. А.; Вечер, Д. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, B. C.; Петлицкая, Т. В.
2021Влияние неконтролируемых технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2022Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремнийПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Соловьёв, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Жигулин, Д. В.
2022Влияние уровня легирования и ретикулярной плотности исходных кремниевых пластин на их оптические характеристики после быстрой термообработкиОмельченко, А. А.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2016Государственный центр «Белмикроанализ» – центр коллективного пользования по проведению аналитических исследований при создании инновационных изделий микро- и наноэлектроникиПилипенко, В. А.
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2022Зарядовые свойства тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработкиКовальчук, Н. С.; Марудо, Ю. А.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Анищик, В. М.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
Результаты 1 - 20 из 54  следующий >