Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Моховиков, М. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 10 - 27 из 27 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2021Оптические свойства гиперлегированного селеном кремния, формируемого постимплатационным наносекундным лазерным облучениемКомаров, Ф. Ф.; Ивлев, Г. Д.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Моховиков, М. А.; Жук, Ю.
2014Процессы формирования нанокристаллов А 3 В 5 и IV группы в структурах SiO 2 /Si методом высокодозной ионной имплантации и термообработокМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.
2020Разработать технологические режимы выращивания тонких слоев SiC на пластинах Si диаметром 100 мм для перспективных приборных структур силовой и оптоэлектроники : отчет о научно-исследовательской и опытно-конструкторской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель П. И. ГайдукГайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.; Моховиков, М. А.; Жигулин, Д. В.; Лис, Н. А.; Лобанок, М. В.; Мухаммад, А. И.; Скуратович, Н. А.; Кошелев, И. Р.; Козодоев, С. В.; Демин, Н. С.; Дзираева, Ю. О.
2018Разработать физико-технологические режимы формирования и исследовать параметры приборных структур на основе тонких и сверхтонких нестехиометрических слоев SiNx, 3.3.02.1 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. А. ВласуковаВласукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Романов, И. А.; Моховиков, М. А.
2018Разработка методик структурно-фазового анализа тонких диэлектрических, металлических и гетероэпитаксиальных полупроводниковых слоев на кремниевых подложках на базе электронной нанодифракции и комбинационного рассеяния света, 3.5.02.3 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. А. ВласуковаВласукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Мильчанин, О. В.; Моховиков, М. А.
2015Разработка методов структурного и фазового анализа характеристик тонких диэлектрических, металлических и полупроводниковых слоев субмикронных интегральных микросхем с проектными нормами 0,5 - 0,18 мкм на базе просвечивающей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. А. ВласуковаВласукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Моховиков, М. А.; Ковалева, Т. Б.
2016Синтез нанокристаллов А3В5 и IV группы в структурах SiO2/Si методом высокодозной ионной имплантации и термообработок для изделий микро- и наноэлектроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Ф. Ф. КомаровКомаров, Ф. Ф.; Моховиков, М. А.
2023Структура и оптические свойства кремния, гипердопированного атомами индия и мышьяка: эффект электроннолучевого отжигаМильчанин, О. В.; Комаров, Ф. Ф.; Моховиков, М. А.; Роговая, И. С.; Пархоменко, И. Н.; Коваль, Н. Н.; Тересов, А. Д.; Королик, О. В.; Wendler, E.
2013Структура и оптические свойства системы Sio2/Si с нанокластерами оловаКомаров, Ф. Ф.; Моховиков, М. А.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.
2015СТРУКТУРА И ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ СЛОЕВ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, СОДЕРЖАЩЕГО НАНОКЛАСТЕРЫ ЦИНКА, СИНТЕЗИРОВАННЫЕ В РЕЗУЛЬТАТЕ ИМПЛАНТАЦИИ И ТЕРМООБРАБОТКИМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.
2018Структура, фото- и электролюминесценция диоксида кремния, имплантированного высокими дозами ионов оловаРоманов, И. А.; Моховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Вендлер, Э.; Мудрый, А. В.; Живулько, В. Д.
2014Структурно-фазовые превращения в легированных оловом слоях диоксида кремнияМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Вендлер, Э.; Веш, В.
2020Структурно-фазовый состав и люминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Zn и (Zn+O): влияние режимов имплантации и термообработкиМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Żuk, J.; Wendler, E.; Мудрый, А. В.; Королев, Д. С.
2022Температурная зависимость роста SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремнияЛобанок, М. В.; Моховиков, М. А.; Гайдук, П. И.
ноя-2019Формирование нанокластеров ZnSe в диоксиде кремния методом высокодозной ионной имплантации: моделирование и экспериментМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Wendler, E.
2017Формирование нанокластеров ZnSe и ZnS в слоях SiO2 с использованием режима «горячей» имплантации примесиМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Wendler, E.
2016Формирование центров свечения в слоях нитрида кремния методом имплантации ионов азота для светоизлучающих структур : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель И. Н. ПархоменкоПархоменко, И. Н.; Моховиков, М. А.
2022Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработкиЛобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Моховиков, М. А.; Королик, О. В.; Гайдук, П. И.
Результаты 10 - 27 из 27 < предыдущий