Logo BSU

Просмотр Авторы Мищенко, В. Н.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 12 из 12
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2018Влияние одиночного слоя графена на характеристики полевого транзистораМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2020Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием графена и гексогонального нитрида бораМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2015Моделирование дрейфовой скорости электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетероструктуре с использованием метода Монте-Карло.Мищенко, В. Н.
2022Моделирование из первых принципов свойств графена, модифицированного атомами водородаМищенко, В. Н.
2023Моделирование из первых принципов фононных свойств графена, модифицированного атомами водородаМищенко, В. Н.
2014Моделирование процессов переноса электронов в кремниевых МОП-структурахМищенко, В. Н.
2016Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaNМищенко, В. Н.
2017Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из графенаМуравьев, B. B.; Мищенко, В. Н.
ноя-2019Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковом приборе с использованием гексагонального нитрида бораМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2013Моделирование свойств гетероструктуры GaAs/AlxGa1–xAs с использованием метода Монте-КарлоМищенко, В. Н.
2021Моделирование свойств модифицированных графеновых структурМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2012ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА В ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С СОЕДИНЕНИЕМ МАТЕРИАЛОВ GaAs/AlXGa1–XAsМищенко, В. Н.