Logo BSU

Просмотр Авторы Лобанок, М. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 18 из 18
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2018Влияние буферного слоя пористого кремния на рост карбида кремния на кремниевой подложкеЛобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Новиков, А. Г.; Мильчанин, О. В.; Долгий, А. Л.; Бондаренко, В. П.; Гайдук, П. И.
2021Влияние импульсного лазерного отжига на электрофизические характеристики барьерной структуры Ni/3C-SiC/SiПолонский, Н. В.; Козодоев, С. В.; Лобанок, М. В.; Гайдук, П. И.
2023Влияние импульсной лазерной обработки на оптические и электрофизические характеристики структур Ni/SiC/поли-Si/Si3N4/SiO2/SiПолонский, Н. В.; Лобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Жукова, М. Н.; Гайдук, П. И.
2023Влияние наносекундной импульсной лазерной обработки на электрофизические характеристики слоев Ti и Ni на стеклеЛобанок, М. В.; Гринько, С. С.; Гринкевич, А. А.; Людчик, О. Р.
2023Влияние параметров лазерной обработки на характеристики рассеивающих массивов дефектов в стеклеЛюдчик, О. Р.; Лобанок, М. В.
2017Влияние температуры на структуру слоев SiC, сформированных при отжиге кремниевых пластин в вакуумеБатулев, А. А.; Лобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Новиков, А. Г.; Мильчанин, О. В.; Гайдук, П. И.
2020Выращивание гетероструктур 3C-SiC / (100) Si при быстрой термической обработкеЛобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Моховиков, М. А.; Гайдук, П. И.
2018Выращивание тонких пленок гетероэпитаксиального карбида кремния на кремниевых пластинах с буферными слоями различного состава : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель П. И. ГайдукГайдук, П. И.; Лобанок, М. В.; Наливайко, В. О.; Петров, Н. А.
2018Моделирование локализованных плазмонов в периодических многослойных структурах на основе кремнияМухаммад, А. И.; Лобанок, М. В.; Чиж, К. В.; Юрьев, В. А.; Гайдук, П. И.
2021Оптические характеристики гетероструктур SiC/Si, полученных методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремнияЛобанок, М. В.; Мухаммад, А. И.; Гайдук, П. И.
2018Разработать и исследовать физико-технологические режимы роста тонких и сверхтонких слоев SiC на кремниевых пластинах для перспективных приборных структур микро- и оптоэлектроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель П. И. ГайдукГайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.; Ивлев, Г. Д.; Новиков, А. Г.; Лобанок, М. В.; Мухаммад, А. И.; Батулев, А. А.
2020Разработать технологические режимы выращивания тонких слоев SiC на пластинах Si диаметром 100 мм для перспективных приборных структур силовой и оптоэлектроники : отчет о научно-исследовательской и опытно-конструкторской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель П. И. ГайдукГайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.; Моховиков, М. А.; Жигулин, Д. В.; Лис, Н. А.; Лобанок, М. В.; Мухаммад, А. И.; Скуратович, Н. А.; Кошелев, И. Р.; Козодоев, С. В.; Демин, Н. С.; Дзираева, Ю. О.
2022Сравнительное исследование барьерных структур SiC/Si и Pt2Si/SiC/SiПолонский, Н. В.; Лобанок, М. В.; Гайдук, П. И.
2022Температурная зависимость роста SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремнияЛобанок, М. В.; Моховиков, М. А.; Гайдук, П. И.
2023Формирование слоев SiC на структурах поли-Si/Si3N4/SiO2/SiПолонский, Н. В.; Лобанок, М. В.; Гайдук, П. И.
2022Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработкиЛобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Моховиков, М. А.; Королик, О. В.; Гайдук, П. И.
2023Фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-3C-SiC/n-SiПолонский, Н. В.; Лобанок, М. В.; Гайдук, П. И.
2023Электрофизические характеристики структур TiAlСN/TiAlN, модифицированных наносекундной импульсной лазерной обработкойСиренко, О. С.; Игнатович, С. А.; Щербич, И. Д.; Лобанок, М. В.; Людчик, О. Р.