Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Комаров, Ф. Ф.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 124 - 143 из 162 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2005Температурные поля и трекообразование в материалах, облучаемых ионами высоких энергийУрбанович, А. И.; Комаров, Ф. Ф.
2015Термостабильность и оптические свойства тонких плёнок TiAlN на кремнии.Зайков, В. А.; Королик, О. В.; Климович, И. М.; Комаров, Ф. Ф.; Людчик, О. Р.
2006Термоупругая генерация продольных акустических колебаний вблизи ионных трековУрбанович, А. И.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. А.
2007Транспортировка пучков заряженных частиц через диэлектрические капиллярыКамышан, А. С.; Комаров, Ф. Ф.; Лагутин, А. Е.
ноя-2019Трансформация полупроводниковых квантовых точек в диэлектрической матрице при высокоэнергетическом ионном облученииЮвченко, В. Н.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.
2010Триботехнические, физико-механические свойства и термическая стабильность нано- и микрокомпозитных покрытий на основе Ti-Al-NПогребняк, А. Д.; Дробышевская, А. А.; Ильяшенко, М. В.; Кирик, Г. В.; Комаров, Ф. Ф.; Береснев, В. М.; Махмудов, Н. А.; Рузимов, Ш. М.; Шипиленко, А. П.; Телеушев, Ю. Ж.
1987Учет особенностей экранирования при описании электрон-примесного взаимодействия в ковалентных кристаллахКомаров, Ф. Ф.; Новиков, А. П.; Ань Туан Хоанг
19-ноя-2013Физические основы ионно-фотонной обработки материалов № УД-661/рКомаров, Ф. Ф.
2022Физические основы ионно-фотонной обработки материалов. Учебная программа учреждения высшего образования по учебной дисциплине для специальности: 1-31 04 03 Физическая электроника. №УД-11179/уч.Комаров, Ф. Ф.; Константинов, С. В.
2016Физические основы ионно-фотонной обработки материалов. № 2458/уч.Комаров, Ф. Ф.
2003Физические свойства никелевых электролитических покрытий, образовавшихся в поле рентгеновского излученияВойна, В. В.; Колодинский, А. М.; Комаров, Ф. Ф.
2012ФОРМИРОВАНИЕ БАРЬЕРОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ СИЛИЦИДНОГО НИКЕЛЬ-ПЛАТИНОВОГО СПЛАВАСолодуха, В. А.; Турцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Ковалева, Т. Б.
сен-2006Формирование водородо-индуцированиых дефектов и их применение в технологиях микро- и оптоэлектроникиКомаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Миронов, А. М.
2013Формирование излучательных центров в SiO2 при высокодозной имплантации оловаКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.
2000Формирование микропучков жесткого рентгеновского излучения при помощи преломляющей линзыДудчик, Ю. И.; Кольчевский, Н. Н.; Комаров, Ф. Ф.
ноя-2019Формирование нанокластеров ZnSe в диоксиде кремния методом высокодозной ионной имплантации: моделирование и экспериментМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Wendler, E.
2017Формирование нанокластеров ZnSe и ZnS в слоях SiO2 с использованием режима «горячей» имплантации примесиМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Wendler, E.
2004Формирование нанокластеров и нанопор в SiO2 ионно-лучевыми методамиКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мудрый, А. В.; Комаров, А. А.; Мильчанин, О. В.; Гайдук, П. И.; Ювченко, В. Н.; Гречный, С. С.
2005Формирование нанокластеров и нанопор в SiO2 ионно-лучевыми методамиКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мудрый, А. В.; Комаров, А. А.; Мильчанин, О. В.; Гайдук, П. И.; Ювченко, В. Н.; Гречный, С. С.
2017Формирование наноструктурированных Ti-Al-C-N покрытий с оптимальными физико-механическими свойствами : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Ф. Ф. КомаровКомаров, Ф. Ф.; Климович, И. М.
Результаты 124 - 143 из 162 < предыдущий   следующий >