Logo BSU

Просмотр Авторы Ивлев, Г. Д.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 46 - 63 из 63 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2010Разработать и исследовать структуры Si/SiO2/Si с двумерными массивами нанокристаллов Ge для энергонезависимых элементов памяти : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Гайдук, П. И.Гайдук, П. И.; Пшеничный, Е. Н.; Наливайко, О. Ю.; Зайков, В. А.; Новиков, А. Г.; Прокопьев, С. Л.; Дорошкевич, М. А.; Терентьева, О. В.; Пилько, В. В.; Камышан, А. С.; Ивлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.; Раткевич, С. В.; Борисевич, В. М.; Васильев, Ю. Б.; Рудницкий, К. В.; Лысюк, А. А.; Лепешкевич, Г. В.; Осипов, В. Е.; Чигирь, Г. Г.; Простов, И. В.; Заборовский, Г. А.; Латушко, А. А.; Яцко, К. В.
2018Разработать и исследовать физико-технологические режимы роста тонких и сверхтонких слоев SiC на кремниевых пластинах для перспективных приборных структур микро- и оптоэлектроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель П. И. ГайдукГайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.; Ивлев, Г. Д.; Новиков, А. Г.; Лобанок, М. В.; Мухаммад, А. И.; Батулев, А. А.
2015Разработать и освоить в производстве импульсный лазер с диодной накачкой для специального практикума по лазерной обработке материалов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель О. Р. ЛюдчикЛюдчик, О. Р.; Михей, В. Н.; Вишневская, Е. В.; Ивлев, Г. Д.; Зайков, В. А.; Горбач, Д. В.; Казак, А. А.; Назаров, С. А.
2013Разработка и исследование процессов выращивания кремний-германиевых гетероструктур для создания полупроводниковых приборов : отчет о научно- исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель П. И. ГайдукГайдук, П. И.; Новиков, А. Г.; Ивлев, Г. Д.; Зайков, В. А.; Прокопьев, С. Л.; Пархоменко, И. Н.; Шевцова, В. И.; Антонович, M. Л.; Наливайко, О. Ю.; Рудницкий, К. В.; Пшеничный, Е. Н.; Лепешкевич, Г. В.; Прокофьев, В. М.
2020Разработка физико-технических принципов прецизионной лазерной обработки функциональных материалов и метаматериалов с целью направленной модификации их поверхностных и объемных свойств для использования в прикладных оптических технологиях : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель О. Р. ЛюдчикЛюдчик, О. Р.; Михей, В. Н.; Ивлев, Г. Д.; Зайков, В. А.; Вишневская, Е. В.; Людчик, О. О.; Людчик, Ю. О.; Вашкевич, А. Д.
2020Разработка физических основ и технологических принципов контролируемого реактивного магнетронного осаждения многослойных, твердых и износостойких, антифрикционных, термостойких, устойчивых к облучению структур на основе бинарных и тернарных нитридов металлов, упрочненных наноразмерными компонентами. Задание № 2.18.1 подпрограммы «Наноматериалы и нанотехнологии». ГПНИ «Функциональные и композиционные материалы, наноматериалы» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Ф. Ф. КомаровКомаров, Ф. Ф.; Зайков, В. А.; Климович, И. М.; Константинов, С. В.; Ивлев, Г. Д.; Романов, И. А.; Вишневский, А. И.
2013Сегрегация германия при наноимпульсном лазерном воздействии на эпитаксиальные слои SiGe/SiПрокопьев, С. Л.; Ивлев, Г. Д.; Гайдук, П. И.
2017Создание методами ионной имплантации и импульсного лазерного отжига композитных слоев Si и GeSi с наночастицами AgБаталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Нуждин, В. И.; Валеев, В. Ф.; Воробьев, В. В.; Осин, Ю. Н.; Ивлев, Г. Д.; Степанов, А. Л.
2017Структура и фотопроводимость сильно легированных слоев Ge:Sb, сформированных на подложках Si и Ge ионным распылением и импульсными обработкамиБаталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Новиков, Г. А.; Файзрахманов, И. А.; Шустов, В. А.; Ивлев, Г. Д.
2006Структура слоев кремния, легированного железом или эрбием, после облучения мощными лазерными импульсамиГайдук, П. И.; Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Ивлев, Г. Д.
2017Структурные изменения в покрытиях TiAlCN на кремнии при воздействием наноимпульсного лазерного излученияЗайков, В. А.; Ивлев, Г. Д.; Людчик, O. P.; Климович, И. М.; Вишневский, А. И.; Королик, О. В.
2000Фазовые переходы в арсениде галлия, инициируемые комбинированным воздействием лазерного излученияЖвавый, С. П.; Ивлев, Г. Д.; Садовская, О. Л.; Гацкевич, Е. И.
2001Фазовые превращения в ионно-аморфизированном кремнии, инициируемые импульсным воздействием излучения эксимерного лазераИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
2013Формирование углеродных плёнок на кварце наносекундной лазерной абляцией графитаИвлев, Г. Д.; Кухто, А. В.
2010Фотоприемники на основе поли-SiGe/Si структур, модифицированных лазерной обработкойГайдук, П. И.; Зайков, В. А.; Прокопьев, С. Л.; Казючиц, Н. М.; Русецкий, М. С.; Ивлев, Г. Д.; Наливайко, О. Ю.
2015Численное моделирование наносекундного лазерного нагрева тонких плёнок TiAlN/Si.Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.
2017Электрофизические свойства структур TiAlCN - TiAlN - Si модифицированных лазерным отжигомЗайков, В. А.; Ивлев, Г. Д.; Людчик, O. P.; Климович, И. М.; Вишневский, А. И.; Гусакова, С. В.
2004Эффекты перегрева и переохлаждения при и отвердевании кремния в условиях наносекундного лазерного воздействияИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.