Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Жевняк, О. Г.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 33 - 43 из 43 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2018Проблемы дифференцированного изучения наноэлектроникиЖевняк, О. Г.
2010Разработать физико-математические модели, алгоритмы и программный комплекс для расчета электрических характеристик кремниевых субмикронных моп-транзисторов со структурным каналом : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М.Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сетун, А. Н.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.
2015«Разработка физико-математических моделей и программного обеспечения для моделирования электрофизических свойств n-канальных субмикронных МОП-транзисторов», по заданию 1.1.16 «Разработка физико-математических моделей и программного обеспечения для моделирования процессов низкоэнергетической ионной имплантации, термообработки кремниевых структур и электрофизических свойств n-канальных субмикронных МОП-транзисторов». ГПНИ «Электроника и фотоника» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Жевняк, О. Г.
2003Самосогласованный расчет электронных состояний в гетероструктурах AlGaAs/GaAsБорздов, А. В.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.
2003Самосогласованный расчет электронных состояний в гетероструктурах AlGaAs/GaAsБорздов, А. В.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.
2002Самосогласованный расчет энергетических уровней в цепочке квантовых ям с одномерным электронным газомБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.
19-ноя-2013Теория квантоворазмерных приборных структур № УД-681/рЖевняк, О. Г.
2014Туннелирование электронов через узкие потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формыЖевняк, О. Г.
мая-2007Формирование проводящего канала в высоколегированном nМОП-транзисторе в линейном режиме работыАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
20-ноя-2013Электронные процессы в приборных структурах метал-окисел-полупроводник № УД-660/рЖевняк, О. Г.
2009Эффекты влияния стока на электрический потенциал в инверсионном слое кремния в короткоканальных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.
Результаты 33 - 43 из 43 < предыдущий