Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Жевняк, О. Г.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 43  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2003Апроксимация начального участка BAX высоколегированного tv-канального МОП-транзистораАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Мулярчик, С. Г.; Жевняк, О. Г.; Шевкун, И. М.
2003Апроксимация начального участка ВАХ высоколегированного МОП-транзистораАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
2003Влияние дозы и энергии имплантированных ионов бора на перенос электронов в n-канале кремниевых короткоканальных МОП-транзисторовБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Борздов, А. В.; Малышев, В. С.
2003Влияние сегрегации примесей на сквозное обеднение в tv-канальном МОП-транзистореАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
2003Влияние сегрегации примеси на сквозное объединение в n-канальном МОП транзистореАндреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.
2018Вычислительная микро- и наноэлектроника. №УД - 5452/уч.Жевняк, О. Г.
1999Дрейфовая скорость электронов в высоколегированной подложке кремниевого МОП-ПТАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Русецкий, А. М.
2003Интенсивности рассеяния вторичных дырок в N-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторовБорздов, В. Н.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Комаров, Ф. Ф.; Малышев, В. С.
2003Интенсивности рассеяния вторичных дырок в w-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторовБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.; Зезюля, А. В.
2021Моделирование влияния глубины залегания стока на перенос электронов в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О.
2023Моделирование влияния затворного напряжения на плотность паразитного туннельного тока в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
2018Моделирование влияния истока и стока на квантование энергии электронов в короткоканальных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О.
2022Моделирование влияния различных механизмов рассеяния на подвижность электронов в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.
2023Моделирование влияния стокового напряжения на форму потенциального барьера в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
2020Моделирование двумерных распределений подвижности электронов в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О.
2014Моделирование методом Монте-Карло влияния глубины залегания стока на перенос электронов и ток стока в субмикронных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.; Шевкун, И. М.
2011Моделирование методом Монте-Карло подвижности электронов вблизи стока в короткоканальных МОП-транзисторах с мелкими и глубокими стокамиЖевняк, О. Г.
2011Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИСБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф.
2022Моделирование методом Монте-Карло пространственного распределения энергии электронов в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Леонтьев, А. В.
2015Моделирование методом Монте-Карло туннельного тока в субмикронных МОП-транзисторах.Жевняк, О. Г.
Результаты 1 - 20 из 43  следующий >